罗平
- 作品数：74 被引量：33H指数：4
- 供职机构：同济大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金上海市科委科技攻关项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学化学工程更多>>
- 自带熔体搅拌功能的晶体生长装置
- 本发明涉及一种自带熔体搅拌功能的晶体生长装置，包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6)，所述的坩埚(5)内设有搅拌原料(4)的搅拌器(7)。与现有技术相比，本发明在传统坩...
- 王庆国罗平徐军吴锋唐慧丽刘军芳赵衡煜刘斌薛艳艳王东海
- 文献传递
- 超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸被引量：8
- 2017年
- 氧化镓（β—Ga2O3）单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体，其禁带宽度为4．8～4．9eV，具有独特的紫外透过特性（吸收截止边～260nm）；击穿电场强度高达8MV／cm，是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上.
- 唐慧丽何诺天罗平罗平李秋郭超王庆国潘星宇吴锋徐军
- 关键词：宽禁带半导体单晶生长氧化物半导体禁带宽度
- 功能晶体实验室的科学管理
- 2020年
- 该文以同济大学功能晶体实验室为例,介绍了在实验室安全防护、教学科研活动中的管理制度与工作经验。通过将职工负责制和研究生炉长制相结合,实现实验室设备的科学有效管理。通过建立科学规范的管理制度,提升实验工艺水平,保证实验室财产安全,达到实验室安全高效运行的目的。
- 王庆国吴锋罗平唐慧丽王风丽金佳徐军方恺
- 关键词：功能晶体实验教学安全管理
- 一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法
- 本发明涉及一种坩埚下降法生长氧化镓体单晶的生长装置及其方法，装置包括单晶炉、铱金坩埚、热场部件、气氛控制单元，热场部件围绕铱金坩埚设置，由独立加热的上温区和下温区组成。本装置采用上、下双温区独立加热，上温区为高温区具有较...
- 唐慧丽徐军罗平吴锋王庆国张超逸薛艳艳
- 文献传递
- 一种单晶光纤的包层制备方法
- 本发明涉及一种单晶光纤的包层制备方法，包括以下步骤：(1)包层的制备：将单晶光纤作为预制棒原料，并在其中心轴线上钻孔，得到包层；(2)预制棒的制备：将外径与包层中心孔径相当的单晶体作为纤芯，插入包层中心孔内，得到预制棒；...
- 赵衡煜徐军侯文涛施佼佼罗平王庆国
- 一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用
- 本发明涉及一种高阻氧化镓晶体及其制备方法与应用，所述高阻氧化镓晶体的分子式为β‑(Ga<Sub>1‑x</Sub>Al<Sub>x</Sub>)<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>，其中x的取值范围为0.0...
- 唐慧丽李志伟刘波徐军罗平吴锋王庆国张超逸
- 光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究被引量：4
- 2016年
- 采用光学浮区法生长了尺寸8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm^2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga_2O_3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga_2O_3单晶的电学性能的确有改善。
- 吴庆辉唐慧丽苏良碧罗平钱小波吴锋徐军
- 关键词：晶体生长电导率
- 多片导模法蓝宝石晶体的缺陷研究
- 2021年
- 使用导模法(EFG)生长了多片a面蓝宝石晶体。显微拉曼光谱结合电感耦合等离子体发射光谱(ICP-AES)测试得出晶体的气泡中可能存在含S化合物。晶体表面明显的生长条纹主要与温度、生长速度的波动以及模具的加工精度有关。化学腐蚀分析表明晶体位错密度在4.2×10^(4) cm^(-2),未存在小角度晶界缺陷,双晶摇摆曲线半峰宽(FWHM)为70.63″。由于采用石墨保温材料,晶体中存在F心与F+色心。晶体在400~3000 nm波段透过率高于80%,空气中退火后可减弱色心吸收。本文研究结果可为蓝宝石晶体缺陷形成理论研究提供参考,也可为导模法蓝宝石工业生产技术改进提供借鉴。
- 陈伟超罗平王庆国唐慧丽薛艳艳段金柱王勤峰雷震霖徐军
- 关键词：蓝宝石导模法晶体生长气泡色心
- 一种具有热释光性能的氧化镓晶体及其制备方法
- 本发明涉及一种具有热释光性能的氧化镓晶体及其制备方法，所述的氧化镓晶体包括氧化镓和掺入在氧化镓中的Ge<Sup>4+</Sup>，其掺杂浓度优选为0.1～10mol％；上述的氧化镓晶体由导模法制备而成。与现有技术相比，本...
- 唐慧丽徐军罗平
- 文献传递
- 适用于晶体生长的异形热场装置
- 本发明涉及一种适用于晶体生长的异形热场装置，包括感应线圈(1)、保温层(2)、感应发热体(3)、原料(4)、坩埚(5)和坩埚支柱(6)，所述的感应发热体(3)设置在保温层(2)内壁处，且两者的形状为异型结构。与现有技术相...
- 王庆国罗平徐军吴锋唐慧丽刘军芳赵衡煜刘斌薛艳艳王东海
- 文献传递
