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任娜

作品数：6 被引量：110H指数：2
供职机构：浙江大学电气工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金浙江省教育厅科研计划更多>>
相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇势垒
  • 5篇肖特基
  • 5篇二极管
  • 4篇碳化硅
  • 3篇肖特基二极管
  • 2篇导通
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇结构参数
  • 2篇结型
  • 2篇结型场效应
  • 2篇结型场效应晶...
  • 2篇晶体管
  • 2篇4H-SIC
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇导通电阻
  • 1篇导通压降
  • 1篇电阻
  • 1篇优化设计

机构

  • 6篇浙江大学
  • 1篇南京电子器件...

作者

  • 6篇盛况
  • 6篇任娜
  • 1篇刘奥
  • 1篇柏松
  • 1篇陶永洪
  • 1篇谢刚
  • 1篇陈思哲
  • 1篇徐弘毅

传媒

  • 2篇中国电机工程...
  • 2篇中国电工技术...
  • 1篇电工技术学报
  • 1篇2013年全...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试被引量：9
2015年
基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测试结果表明,制备模块具备了相应的电流导通和电压阻断能力,同时开关特性良好,模块的容量是目前国内已报道的最高水平。
何骏伟陈思哲任娜柏松陶永洪刘奥盛况
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管结型场效应晶体管功率模块
采用场限环终端的2.5mΩ·cm^2,1750V4H-SiC结势垒肖特基二极管（英文）
2015年
该文报道具有最小比导通电阻的~1.7 k V 4H-SiC结势垒肖特基二极管。首先通过数值仿真对结势垒肖特基(junction barrier Schottky,JBS)二极管的有源区和终端结构进行了优化设计。实验结果验证了场限环(floating guard ring,FGR)终端的优化设计结构具有较强的鲁棒性,能够抵抗工艺中环间距的变化以及钝化层中寄生电荷的影响。实验制作的4H-SiC结势垒肖特基二极管实现了2.5 mΩ·cm2的最小比导通电阻值,接近于理论值(2.4 mΩ·cm2),并且具有优秀的反向阻断特性,获得了最高1.75 k V的阻断电压(达到了95%的理论值)和83%的器件良率,从而实现了SiC JBS二极管品质因数的最高记录(U22B/Ron_sp=1 225 MW/cm)。
任娜盛况
关键词：4H-SIC阻断电压比导通电阻场限环
4H-SiC结势垒肖特基二极管的结构研究
本文借助于Silvaco数值分析工具,针对1200 V系列平面型以及沟槽型碳化硅结势垒肖特基二极管进行了对比分析与优化设计.平面型结势垒肖特基二极管存在正向导通压降和反向漏电流的折衷与权衡,限制了功率损耗的进一步降低.优...
任娜谢刚盛况
关键词：碳化硅肖特基势垒二极管反向漏电流
高压4H-SiC结势垒肖特基二极管的研究
本文报道了高压(＞5000V)4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的设计和实验研究.基于数值仿真平台,对结势垒肖特基二极管的结构参数进行了优化设计,实现了正向导通特性和反向阻断特性之间的权衡.仿真设计得到了实验结果的...
任娜吴九鹏盛况
关键词：结构参数优化设计碳化硅
文献传递
4H-SiC沟槽型结势垒肖特基二极管的仿真与实验研究
本文介绍了1200V等级的4H-SiC结势垒肖特基(JBS)二极管的仿真和实验研究.基于2维数值仿真平台Silvaco,研究了不同结构参数,如p+区深度(Xj)、p+区间距(S)对JBS二极管的正反向特性的影响.实验中实...
吴九鹏任娜盛况
关键词：数值仿真结构参数
文献传递
碳化硅功率器件技术综述与展望被引量：101
2020年
碳化硅(silicon carbide,Si C)器件作为一种宽禁带半导体器件,具有耐高压、高温,导通电阻低等优点。近20年来,Si C器件是国内外学术界和企业界的一大研究热点,该文对近些年来不同Si C器件的发展进行分类梳理,介绍二极管、结型场效应晶体管、金氧半场效晶体管、绝缘栅双极型晶体管及门极可断晶闸管器件,并对比分析器件结构及参数性能,针对关键问题展开论述。最后,对SiC器件近年的发展进行总结和展望。
盛况任娜徐弘毅
关键词：碳化硅功率器件结型场效应晶体管绝缘栅双极型晶体管
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