刘侠
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 钝化层质量对高压功率器件可靠性的影响被引量：2
- 2009年
- 针对钝化层质量对高压VDMOS器件可靠性的影响做了研究。通过流片生产中的产品遇到的实际问题,分析了高压VDMOS器件的钝化层可能存在的离子或者受热应力对器件可靠性的不良影响,并在实际工艺和芯片设计上作出了相应的改进,流片验证可靠性得到了有效的改善。
- 刘侠夏晓娟孙伟锋
- 关键词：可靠性钝化层
- 体硅高压LDMOS器件二维温度分布模型被引量：1
- 2007年
- 体硅高压LDMOS器件,在不同工作方式下,自身的发热情况也不同.本文通过解热传导方程,研究了体硅N-LD-MOS器件准二维温度分布模型.通过该模型,分析了体硅高压N-LDMOS器件工作在线性区与饱和区时温度的分布,器件各个部分自热引起的温度升高以及其在不同宽度的高压脉冲作用下,N-LDMOS器件的温度分布变化情况.
- 王钦孙伟锋刘侠杨东林
- 关键词：自热温度分布
- 高压VDMOS电容的研究被引量：7
- 2007年
- 本文主要研究了VDMOS电容的组成,详细分析了Ciss、Coss和Crss这3个VDMOS电容参数的定义和各自对应的特性,并从模拟上着重分析了沟道长度和栅氧厚度对电容的影响.文中提出一种反馈电容较低的VDMOS新单元结构,在相同的尺寸条件下,新结构单元Qg*Rdson的优值较之传统型设计显著下降.
- 刘侠孙伟锋王钦杨东林
- 关键词：VDMOS电容导通电阻
- 孔腐蚀工艺优化对良率的改善
- 主要研究了孔腐蚀工艺模块对良率的影响，通过250V VDMOS工艺的具体例子，详细分析了孔腐蚀工艺存在的问题，并在不断的实验引导下改进优化孔腐蚀的工艺过程。最终确立了先湿法后干法的孔腐蚀工艺模块。在优化过孔腐蚀的工艺下，...
- 刘侠夏晓娟
- 关键词：形貌特征
- 700V VDMOS设计被引量：4
- 2007年
- 主要研究高压VDMOS器件的设计方法.理论分析了VDMOS结构参数与其主要性能的关系.按700V VDMOS器件击穿电压和导通电阻的设计要求给出基本的结构参数,并在此基础上通过数值模拟的方法进行优化.重点讨论外延电阻率及厚度,栅的长度和PBODY结深对VDMOS器件BV和Rdson的影响,最终得到了满足器件设计要求的最佳结构参数.同时还分析了集成电路中的VDMOS与普通分立VDMOS器件在器件结构设计上的主要差别.
- 杨东林孙伟锋刘侠
- 关键词：VDMOS击穿电压特征导通电阻数值模拟
- 体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究
- 2006年
- 从等温和非等温两个角度,在250 K^573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究。系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理。
- 刘侠王钦
- 关键词：等温非等温负阻效应
