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涂小牛

作品数:39 被引量:6H指数:2
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程重要方向项目中科院重大科研装备研制项目更多>>
相关领域:理学化学工程交通运输工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 19篇专利
  • 16篇会议论文
  • 4篇期刊文章

领域

  • 18篇理学
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 28篇晶体
  • 13篇晶体生长
  • 11篇提拉法
  • 9篇籽晶
  • 6篇电晶体
  • 6篇压电
  • 6篇压电晶体
  • 6篇光学
  • 5篇硼酸
  • 5篇坩埚
  • 5篇光学晶体
  • 5篇非线性光学
  • 5篇非线性光学晶...
  • 5篇
  • 5篇
  • 4篇习性
  • 4篇
  • 3篇压电系数
  • 3篇生长习性
  • 3篇坩埚下降法

机构

  • 39篇中国科学院
  • 1篇北京交通大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 39篇涂小牛
  • 34篇郑燕青
  • 30篇施尔畏
  • 18篇熊开南
  • 18篇孔海宽
  • 12篇王升
  • 9篇忻隽
  • 9篇陈辉
  • 8篇曾一明
  • 4篇涂一帆
  • 3篇高攀
  • 2篇陈建军
  • 1篇徐军
  • 1篇武安华
  • 1篇陈云琳

传媒

  • 3篇无机材料学报
  • 2篇第十六届全国...
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇第十六届全国...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2023
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 7篇2009
39 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法
本发明涉及一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法,所述方法包括:(1)将La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体和SiO<Sub>2</Sub>...
王升郑燕青熊开南涂小牛殷利斌孔海宽施尔畏
文献传递
OPCPA用掺钐YCOB晶体的生长及性能研究
<正>YCa4O(BO3)3(YCOB)晶体属于单斜晶系,空间群为Cm,同时具有良好的非线性光学性能和压电性能。YCOB作为一种新型的非线性光学晶体,具有非线性光学系数大、易于获得大尺寸晶体、抗损伤阈值高、化学性能稳定等...
涂一帆涂小牛郑燕青施尔畏
文献传递
一种非线性光学晶体及其制备方法和应用
本发明涉及一种非线性光学晶体及其制备方法和应用,所述非线性光学晶体为钐掺杂的铌酸镓镧晶体,化学式为(La<Sub>1‑x</Sub>Sm<Sub>x</Sub>)Nb<Sub>0.5</Sub>Ga<Sub>5.5</S...
殷利斌郑燕青王升涂小牛熊开南施尔畏
文献传递
Ca3TaAl3Si2O14晶体的理论和实验研究
石英晶体凭借其低廉的价格长期主导着非铁电压电材料领域的市场,但是,随着无线通讯技术的不断发展,石英晶体压电性能较差的缺点逐渐成为了技术发展的瓶颈所在。因此,寻找石英晶体的替代品已经成为迫切需要解决的问题。近年来,硅酸鎵镧...
忻隽郑燕青孔海宽陈辉涂小牛曾一明施尔畏
文献传递
3英寸LGS晶体生长与习性控制
硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)压电晶体属三方晶系,32点群,P321空间群,近二十年来一直是压电晶体研究领域的热点。该晶体具有2~3倍于石英的机电耦合系数、良好的温度稳定性、以及优异的压电性能,特别是高温压电...
涂小牛郑燕青施尔畏
关键词:晶体生长压电晶体
一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法
本发明涉及一种批量制备大尺寸硅酸镓镧晶体的方法,所述方法包括:(1)将La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体、Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉体和SiO<Sub>2</Sub>...
王升郑燕青熊开南涂小牛殷利斌孔海宽施尔畏
文献传递
一种钪离子掺杂硼酸氧钙钇晶体及其制备方法
本发明涉及一种钪离子掺杂硼酸氧钙钇晶体及其制备方法。所述钪离子掺杂硼酸氧钙钇晶体的化学通式为Sc<Sub>x</Sub>Y<Sub>1‑x</Sub>Ca<Sub>4</Sub>O(BO<Sub>3</Sub>)<Sub...
涂小牛秦亚飞任成凯孔海宽施尔畏
Ca3B(AlxGa1-x)3Si2O14(B=Ta,Nb)晶体生长习性研究
本文通过用Ga离子取代CaTaAlSiO(CTAS)和CaTaAlSiO(CNAS)晶体中部分Al离子以改善晶体的结晶性,并仍保持着较低廉的原料成本。本实验采用熔体提拉法生长出了CaTa(AlGaSiO(CTAGS)、C...
熊开南郑燕青涂小牛施尔畏
关键词:压电晶体提拉法生长习性
文献传递
硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品
本发明涉及硅酸镓镧压电晶体的制造方法及其制品,所述方法采用坩埚提拉法生长晶体,包括:在接种工序中,将原料加热至熔化并在高于熔化温度80℃~140℃下保温使熔体稳定,并将籽晶在高于熔化温度10℃~30℃下接触熔体;旋转籽晶...
涂小牛郑燕青孔海宽杨建华施尔畏
文献传递
高均匀性高掺镁铌酸锂晶体的生长与表征被引量:2
2010年
采用提拉法生长了高掺镁铌酸锂晶体,并采用高温极化法使晶体单畴化.为研究晶体的成分均匀性、光学均匀性及铁电畴均匀件,采用光谱、激光干涉、电子探针、显微观察等表征手段测定与观察了晶体的紫外吸收边、OH吸收峰、折射率梯度△n、晶体径向上的微观成分及晶体的铁电畴结构.结果表明:通过采用合适的生长组分和改进提拉法生长工艺获得了高质量的高掺镁铌酸锂晶体.晶体的紫外吸收边位于308 nm附近,OH吸收峰位于高抗光损伤阈值特征峰2828 nm处,光学均匀性达△n<5.11×10^(-5).在1200℃下通过外加电场极化获得了高均匀性且完全单畴的铁电畴结构.
涂小牛郑燕青陈辉孔海宽忻隽曾一明施尔畏
关键词:畴结构光学均匀性
共4页<1234>
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