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文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇晶体管
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  • 1篇时域光谱
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  • 1篇迁移率
  • 1篇万用表
  • 1篇温度控制
  • 1篇温度控制装置
  • 1篇麦克斯韦
  • 1篇麦克斯韦方程

机构

  • 3篇上海理工大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 3篇陈麟
  • 3篇彭滟
  • 3篇朱亦鸣
  • 3篇卞金鑫
  • 2篇贾晓轩
  • 2篇郭天义
  • 2篇徐静波
  • 2篇杜少卿
  • 2篇李洪
  • 1篇付晓君
  • 1篇张海英
  • 1篇黄杰
  • 1篇涂浩
  • 1篇杨浩
  • 1篇袁明辉
  • 1篇谢乐

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
半导体参数测试系统
本实用新型属于半导体测试技术领域,特别涉及一种用于晶体管参数测试的半导体参数测试系统,包括探针系统、数字源表、PC机、温度控制装置、抽真空装置和软件系统;抽真空装置将半导体器件吸附在探针系统中的样品台上;探针系统中的传输...
卞金鑫黄杰李洪涂浩陈麟彭滟贾晓轩杜少卿郭天义徐静波朱亦鸣
文献传递
太赫兹时域光谱法测定高电子迁移率晶体管的截止工作频率
2012年
随着高速半导体器件的发展,高电子迁移率晶体管(HEMT)的工作频率已经达到亚太赫兹波段,所以无法简单地通过传统电学方法进行检测。鉴于此,必须采用超快光学方法测定HEMT器件的截止工作频率。利用持续时间更短的飞秒脉冲激光瞬时关断处于饱和工作状态下的HEMT器件,并且采用太赫兹时域光谱技术测量在器件被关断后电流的变化情况(时间是皮秒量级),最后,利用所测量到的太赫兹波形(即源漏电流随时间变化的曲线)和截止工作频率的关系,直接推算出可达到亚太赫兹波段的HEMT器件的截止工作频率。
谢乐卞金鑫李洪杜少卿陈麟彭滟张海英徐静波郭天义付晓君杨浩朱亦鸣
关键词:光生载流子截止频率太赫兹时域光谱
超快三极管HEMT器件工作频率的测量系统及测量方法
超快三极管HFMT器件工作频率的测量系统及测量方法,通过将泵浦光入射到栅极和源极之间,以瞬时改变栅极电场,通过电光取样,探测由于栅极电场的突然改变而引起的源极和漏极之间的电子运动所辐射出的空间电磁波;通过麦克斯韦方程计算...
朱亦鸣贾晓轩卞金鑫陈麟彭滟袁明辉
文献传递
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