顾晶晶
- 作品数：12 被引量：4H指数：1
- 供职机构：复旦大学更多>>
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- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法
- 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种可用在柔性电路中的阻变存储器及其制备方法。本发明通过接触式印刷来实现两层相互垂直排布的高密度金属纳米线，并以金属纳米线作为阻变存储器的电极，从而可以实现超高密度的阻变存储器...
- 刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
- 文献传递
- 一种基于半导体纳米线形成的逻辑门及其制备方法
- 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于半导体纳米线形成的逻辑门及其制备方法。本发明首先在衬底的表面生长一定的硅图案，然后在硅图案的侧壁上横向生长纳米线，通过控制硅图案之间的距离来控制不同的纳米线类型(单质或p-n结...
- 刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
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- 一种基于三五族元素的纳米线MOS晶体管及其制备方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni...
- 刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
- 一种基于三五族元素的纳米线MOS晶体管及其制备方法
- 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种纳米线MOS晶体管及其制备方法。该纳米线MOS晶体管使用金属镍作为III-V族半导体纳米线的源漏扩散材料，利用高温下镍的扩散机理，使金属镍扩散到III-V族材料中，形成低电阻的Ni...
- 刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
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- NiO_x阻变存储器性能增强方法及相关机理研究被引量：4
- 2010年
- 通过精确控制在Pt衬底上制备NiOx薄膜的工艺过程,制备出阻值窗口增大5倍以上,高低阻态稳定的TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器.研究发现,NiOx薄膜的多晶态结晶结构和化学组分,尤其是Ni元素的化学态,是影响NiOx阻变存储器阻值窗口和稳定性的主要因素.X射线光电子能谱和X射线多晶体衍射测试结果表明,当NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位增多时,Ni2+会被氧化成为Ni3+以保持电中性,Ni3+离子在材料中引入空穴导致P型氧化物NiO的漏电流增大.基于此机理,提出通过提高淀积温度、降低氧气分压的方法抑制NiOx薄膜中间隙氧或Ni2+空位的产生,降低TiN/NiOx/Pt结构阻变存储器关态漏电流,增大阻值窗口.这种基于工艺的性能增强方法,在NiOx阻变存储器实际应用中有良好前景.
- 顾晶晶陈琳徐岩孙清清丁士进张卫
- 关键词：氧化镍稳定性
- 一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法
- 本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器单元包括衬底和金属-绝缘体-金属结构，其顶电极为铜、铝等可用于互连工艺中的金属薄膜，阻变绝缘体为Al<Sub>2</Sub>O<...
- 顾晶晶孙清清王鹏飞周鹏张卫
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- 一种石墨烯MOS晶体管的制备方法
- 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种石墨烯MOS晶体管及其制备方法。本发明首先通过氢气等离子体处理本征石墨烯得到氢化石墨烯，然后利用原子层淀积金属氧化物的方法破坏石墨烯的大π键，从而有效扩展石墨烯的禁带宽度，降低...
- 刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
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- 金属氧化物阻变存储器性能提升的方法和机理研究
- 随着半导体工艺技术的不断发展,市场对高密度、高速度、低功耗、低成本的非挥发存储器的需求日益增大。目前主流的Flash非挥发存储器由于自身结构的限制,在不断缩小的特征尺寸下面临严峻的挑战,比如浮栅氧化层厚度无法随器件尺寸的...
- 顾晶晶
- 关键词：金属氧化物
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- 一种新型阶梯变掺杂的双栅SOI LDMOS
- 本文提出一种具有不对称双栅并在漂移区采用阶梯变掺杂的SOI LDMOS器件结构(Asymnetrical Double Gate SOI LDMOS With step profile，AsDG SOI LDMOS)，埋...
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- 关键词：击穿电压导通电阻数值仿真优化设计
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- 一种纳米线阻变存储器及其实现方法
- 本发明属于非挥发性存储器技术领域，具体公开了一种纳米线阻变存储器及其实现方法。本发明使用金属-金属氧化物核壳结构的纳米线来实现阻变存储器，所述纳米线的核为金属，作为阻变存储器的传导层；所述纳米线的壳为金属氧化物半导体或绝...
- 刘晗顾晶晶王鹏飞张卫
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