袁泽锐
- 作品数：28 被引量：20H指数：3
- 供职机构：中国工程物理研究院化工材料研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种石榴石结构铝酸盐微波介质陶瓷，材料化学式组成为Ca<Sub>x</Sub>Y<Sub>3‑x</Sub>Al<Sub>5‑x</Sub>Ti<Sub>x</Sub>O<Sub>12</Sub>，其中x＝1...
- 余盛全敬畏尹文龙胥涛方攀窦云巍袁泽锐陈莹唐明静康彬张羽谢靖
- 钇铝石榴石纳米粉体及其制备方法
- 本发明公开了一种钇铝石榴石纳米粉体及其制备方法，包括以下步骤：阳离子盐溶液的配制、沉淀剂溶液的配制、喷雾沉淀、沉淀过滤和洗涤、沉淀前驱体煅烧。本发明采用反滴共沉淀法，将阳离子盐溶液以喷雾的方式加入到沉淀剂溶液中发生共沉淀...
- 敬畏康彬吉祥波余盛全胥涛邓建国尹文龙袁泽锐方攀
- 文献传递
- 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备被引量：3
- 2020年
- 磷锗锌(ZnGeP2,ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶,单次合成量达到600 g;采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶;通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺,成功实现大口径(12 mm×12 mm×50 mm)ZGP晶体器件制备,器件在2.09μm的吸收系数仅为0.03 cm^-1,可以用于大能量和高平均功率红外激光输出。
- 袁泽锐窦云巍窦云巍方攀陈莹康彬
- 关键词：晶体生长
- 新型红外非线性光学晶体SrCdGeSe4生长与性质表征
- 2020年
- 锶镉锗硒(SrCdGeSe 4)晶体是近期被发现的一种性能优异的新型红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出SrCdGeSe 4多晶,单次合成量达到300 g;采用坩埚下降法首次生长出SrCdGeSe 4单晶,尺寸为∅27 mm×80 mm;通过定向、切割和抛光等程序,得到几个不同尺寸的定向SrCdGeSe 4晶片,选取一片8×8×2 mm^3双面抛光(110)晶片测试了摇摆曲线、红外透过光谱和激光损伤阈值。结果显示:(220)摇摆曲线半峰宽为44.8″,该晶体的短波透过截止边为596 nm,且在1~14μm波长范围内透过率超过68%;另外,晶体在Nd∶YAG脉冲激光,脉宽5 ns,重复频率1 Hz,光斑直径0.15 mm测试条件下,激光损伤阈值为530 MW/cm^2。
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- 关键词：坩埚下降法单晶生长
- 中红外激光晶体Dy:PbGa2S4的生长与器件制备被引量：3
- 2020年
- 镝掺杂硫镓铅(Dy∶PbGa2S4,Dy∶PGS)晶体是一种性能优良、具有潜在应用价值的中红外激光介质材料。为推动该晶体的实用化研究,迫切需要制备出大尺寸高品质Dy∶PGS单晶。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成Dy∶PbGa2S4多晶,单次合成量达到230 g;首次采用竖直梯度冷凝法制备该晶体并成功生长出大尺寸高质量Dy∶PbGa2S4单晶,尺寸达到Φ27 mm×100 mm;通过切割和抛光等处理工艺,成功加工出Dy∶PbGa2S4晶体器件,为下一步的激光应用研究打下了坚实基础。
- 方攀袁泽锐袁泽锐尹文龙陈莹
- 关键词：晶体生长
- 大口径超低吸收系数中红外磷锗锌晶体与器件制备被引量：3
- 2022年
- 光参量振荡(OPO)技术是目前实现全固态可调谐高功率3~5μm中红外激光的主流方案,其核心是红外非线性光学晶体,晶体品质决定红外激光功率水平。磷锗锌(ZnGeP_(2),ZGP)晶体性能优异,被称为“中红外非线性光学晶体之王”,但在0.7~2.2μm附近存在异常的光学吸收带,这阻碍了ZGP OPO功率的进一步提升。针对这一问题,采用自制的梯度冷凝炉,结合超低梯度冷凝技术,生长出3.8~5.0 cm大尺寸ZGP单晶,通过定向、切割、退火、抛光、镀膜等处理后,成功实现了多种规格OPO器件的生产,最大器件尺寸达30 mm×30 mm×40 mm,器件在波长2.09μm和1.064μm处的吸收系数分别低至0.015 cm^(-1)和0.4 cm^(-1)。采用单块超低吸收ZGP OPO器件,实现了3~5μm高功率中红外激光输出,功率达107 W,斜率效率为75%,光光效率为61.8%,光束质量(M^(2))为3.1左右。
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- 关键词：激光技术
- 硫镓银晶体(112)面蚀坑形貌研究被引量：3
- 2009年
- 本文报道了一种能在室温下对硫镓银晶体(112)面进行择优腐蚀的新腐蚀液配方,采用新腐蚀液对改进的Bridgman法生长的AgGaS2晶体进行腐蚀,用扫描电镜对蚀坑进行了观察,得到了清晰的(112)面蚀坑形貌,形状为三角锥形。初步解释了蚀坑的形成原因。AgGaS2晶体低指数的{100}面的腐蚀速度较慢,在腐蚀过程中逐渐显露出来,最终使晶体(112)面呈现出三角锥形蚀坑形貌。
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- 关键词：单晶体
- 钇铝石榴石纳米粉体及其制备方法
- 本发明公开了一种钇铝石榴石纳米粉体及其制备方法，包括以下步骤：阳离子盐溶液的配制、沉淀剂溶液的配制、喷雾沉淀、沉淀过滤和洗涤、沉淀前驱体煅烧。本发明采用反滴共沉淀法，将阳离子盐溶液以喷雾的方式加入到沉淀剂溶液中发生共沉淀...
- 敬畏康彬吉祥波余盛全胥涛邓建国尹文龙袁泽锐方攀
- 文献传递
- 简易晶体定向方法
- 为解决现有技术晶体定向方法存在的需要加工晶体表面，适用范围受限制，对晶体的损耗比较大，对设备的依赖性强，或分析周期长、设备昂贵和操作复杂等问题，本发明提出一种简易晶体定向方法，采用晶体表面反射光检测确定晶面的大致方向，采...
- 袁泽锐黄辉康彬邓建国张羽唐明静窦云巍方攀敬畏
- 文献传递
- 一种大梯度可视化管式单晶生长炉
- 本发明公开了一种大梯度可视化管式单晶生长炉。它包括上炉、下炉和中间观察区；所述上炉由外至内依次为上炉壳、上保温棉和上加热电阻丝，所述下炉由外至内依次为下炉壳、下保温棉和下加热电阻丝；所述上炉顶部设置上炉口堵头，所述下炉底...
- 袁泽锐康彬唐明静张羽窦云巍陈莹方攀
- 文献传递
