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许琬
作品数:
29
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
乔明
电子科技大学光电信息学院电子薄...
张波
电子科技大学
李燕妃
电子科技大学
吴文杰
电子科技大学
蔡林希
电子科技大学
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乔明
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张波
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一种PSOI横向高压功率半导体器件
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET,其特征在于,在源端下方引入第二导电类型半导体埋层,避免载流子在源端过度集中,减小器件在源端的功耗,从而改善器件的自...
乔明
李燕妃
许琬
胡利志
吴文杰
蔡林希
陈涛
张波
文献传递
一种横向恒流二极管
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管,通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区,从而调制表面电场,提高击穿电压,同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区,使沟...
乔明
许琬
章文通
李燕妃
何逸涛
张昕
张波
文献传递
一种高压集成电路的互连结构
一种高压集成电路的互连结构,属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有横向高压功率器件的高压集成电路中,采用多条窄线宽的金属连线连接横向高压功率器件的漏极(或阳极)和高压电路,多条窄线宽的金属连线共同分担横向高压功率器件所...
乔明
张昕
许琬
李燕妃
周锌
吴文杰
张波
文献传递
一种高压器件及其制造方法
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上,包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺...
乔明
李燕妃
蔡林希
吴文杰
许琬
陈涛
胡利志
张波
文献传递
一种部分场板屏蔽的高压互连结构
一种部分场板屏蔽的高压互连结构,属于半导体功率器件技术领域。本发明用于具有高压互连线的跑道型横向功率器件中,包括双层部分多晶屏蔽场板和高压互连线;所述双层部分多晶屏蔽场板仅存在于高压互连线跨过的器件表面层中,无高压互连线...
乔明
张昕
许琬
李燕妃
周锌
吴文杰
张波
文献传递
一种快速放电的光电继电器
一种快速放电的光电继电器,属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路;输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED(11)构成,光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管...
乔明
许琬
蔡林希
李燕妃
吴浩然
张昕
吴文杰
张有润
张波
文献传递
一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件
一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件,属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构,终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围;器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比...
乔明
章文通
许琬
李燕妃
张昕
吴文杰
张波
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一种横向恒流二极管
本发明涉及半导体技术,具体的说是涉及一种横向恒流二极管。本发明所述的横向恒流二极管,通过在N型阱区引入轻掺杂的P型区和重掺杂的P型区构成P型阱区,从而调制表面电场,提高击穿电压,同时轻掺杂的P型区可辅助耗尽N型阱区,使沟...
乔明
许琬
章文通
李燕妃
何逸涛
张昕
张波
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一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件
一种超低比导通电阻的SOI横向高压功率器件,属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构,终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围;器件制作于SOI材料的SOI层上。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低了比...
乔明
章文通
许琬
李燕妃
张昕
吴文杰
张波
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一种快速放电的光电继电器
一种快速放电的光电继电器,属于电子技术领域。包括输入端光控信号产生电路、光控信号接收及光电转换电路、控制电路和输出电路;输入端光控信号产生电路由一个发光二极管LED(11)构成,光控信号接收及光电转换电路由一个光电二极管...
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