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赵彦立
作品数:
37
被引量:15
H指数:2
供职机构:
华中科技大学
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相关领域:
电子电信
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刘文
华中科技大学光学与电子信息学院...
文柯
华中科技大学
涂俊杰
华中科技大学
元秀华
华中科技大学光学与电子信息学院...
余永林
华中科技大学
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2011
4篇
2010
2篇
2009
1篇
2008
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一种自淬灭单光子探测系统
本发明属于通信技术领域,公开了一种自淬灭单光子探测系统,包括:混频器、雪崩光电二极管APD,跨阻放大器TIA、取样电阻R以及比较器;雪崩光电二极管APD的负极连接直流偏压VD,正极通过取样电阻R接地;雪崩光电二极管APD...
赵彦立
田育充
文柯
解超
涂俊杰
文献传递
一种光通信用激子光探测器及其制备方法
本发明公开了一种光通信用激子光探测器及其的制备方法。该激子光探测器包括衬底、层叠于所述衬底之上的多层薄膜,以及制备于所述多层薄膜之上的光子晶体;所述多层薄膜按层叠顺序包括分布布拉格反射镜层、透明导电电极、光吸收层、电子受...
赵彦立
光通信用雪崩光电二极管(APD)频率响应特性研究
被引量:4
2011年
吸收层、电荷层和倍增层分离结构雪崩光电二极管(SACM-APD),包括InP/InGaAs、InAlAs/InGaAs和Si/GeAPD是光通信领域近年来研究的热点.本文基于电路模型,系统比较了不同外延层厚度、不同材料以及不同结构APD的频率响应特性,重点探讨Si/GeAPD吸收层厚度、光敏面大小、寄生参数等各项参数对带宽的影响,仿真结果与实际器件实验数据相符合.本文的研究成果对SACM-APD的优化设计具有指导意义.
莫秋燕
赵彦立
关键词:
电路模型
频率响应
一种InAs雪崩光电二极管及其制造方法
本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法,特别涉及一种InAs雪崩光电二极管;所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构,其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法,主要步骤为:S1.产生采...
赵彦立
向静静
张冀
涂俊杰
张诗伯
高晶
文柯
文献传递
纳米尺度3D结构InP/InGaAs雪崩光电探测器
赵彦立
一种薄膜太阳能电池及其制作方法
一种薄膜太阳能电及其制作方法,属于太阳能利用技术领域,解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片,由衬底层、光吸收层和覆盖层构成,覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随...
王智浩
刘文
左强
孙堂友
官成钢
徐智谋
赵彦立
文献传递
一种螺旋光电位敏定位装置及方法
本发明属于光电位敏探测定位技术领域,公开了一种螺旋光电位敏定位装置及方法;包括:基座、第一螺旋电极、第二螺旋电极以及第三螺旋电极;基座采用光电导材料;第一螺旋电极、第二螺旋电极以及第三螺旋电极均为螺旋线形结构,生长在基座...
赵彦立
文柯
王琦
文献传递
一种光通信用激子光探测器及其制备方法
本发明公开了一种光通信用激子光探测器及其的制备方法。该激子光探测器包括衬底、层叠于所述衬底之上的多层薄膜,以及制备于所述多层薄膜之上的光子晶体;所述多层薄膜按层叠顺序包括分布布拉格反射镜层、透明导电电极、光吸收层、电子受...
赵彦立
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一种InAs雪崩光电二极管及其制造方法
本发明涉及一种雪崩光电二极管及其制造方法,特别涉及一种InAs雪崩光电二极管;所述的二极管采用吸收电荷倍增分离结构,其中倍增层采用超晶格结构。本发明还涉及一种制造所述InAs雪崩光电二极管的方法,主要步骤为:S1.产生采...
赵彦立
向静静
张冀
涂俊杰
张诗伯
高晶
文柯
文献传递
一种薄膜太阳能电池及其制作方法
一种薄膜太阳能电池及其制作方法,属于太阳能利用技术领域,解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片,由衬底层、光吸收层和覆盖层构成,覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面...
王智浩
刘文
左强
孙堂友
官成钢
徐智谋
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