- 一种部分SOI超结高压功率半导体器件
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种部分SOI超结高压功率半导体器件。本发明所述的一种部分SOI超结高压功率半导体器件，其特征在于，还包括多个N+岛和P型电场屏蔽层，所述多个N+岛均匀嵌入设置在P型衬底中，所述P型电...
- 乔明蔡林希章文通胡利志张波
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- 共源共栅两级运放的三种补偿结构分析和比较被引量：3
- 2014年
- 提出了三种应用于两级CMOS运算放大器的米勒电容补偿结构,分析了三种结构的小信号等效电路,得到传递函数和零点、极点的位置,以此分析和实现三种结构的频率补偿。其中两种共源共栅米勒补偿结构与直接米勒补偿结构相比,能用更小的芯片面积实现更优的运放性能,得到更大的单位增益带宽积和相位裕度,实现更好的频率特性。通过使用0.18μm CMOS工艺对电路进行仿真,结果验证了共源共栅米勒补偿技术的优越性。
- 胡利志乔明
- 关键词：共源共栅运算放大器
- 一款低功耗抗干扰的PIR探测控制芯片的设计
- 热释电红外(PIR)传感器通过吸收人体辐射红外线并转化为电信号,实现对人体的探测。热释电红外探测控制芯片是通过接收热释电传感器的输出信号,经过芯片内部电路处理,产生有效的输出信号去驱动负载。市场上很多此类芯片实测出现误触...
- 胡利志
- 关键词：热释电红外传感器控制芯片低功耗设计
- 文献传递
- 一种横向高压功率半导体器件
- 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了...
- 乔明章文通李燕妃许琬蔡林希吴文杰陈涛胡利志黄健文张波
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- 一种低压分段线性曲率校正CMOS带隙基准源设计被引量：4
- 2014年
- 在传统低压带隙基准的基础上,通过设计与热力学温度成正比的电流（IPTAT）及与热力学温度呈互补关系的电流（ICTAT）,实现节点电流相减,从而产生分段线性电流作为基准源的曲率校正分量,设计了一个性能更佳的曲率校正带隙基准。电路采用低压运放及低压PTAT电流产生模块,工作电压低。Cadence仿真结果显示,在-40~125℃温度范围内,平均温度系数大约3×10^-6℃-1,最低工作电压在1 V左右,可用于低电源电压、高精度的集成芯片。
- 陈涛胡利志乔明
- 关键词：带隙基准曲率校正温度系数
- 一种PSOI横向高压功率半导体器件
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，在源端下方引入第二导电类型半导体埋层，避免载流子在源端过度集中，减小器件在源端的功耗，从而改善器件的自...
- 乔明李燕妃许琬胡利志吴文杰蔡林希陈涛张波
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- 一种高压器件及其制造方法
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种高压器件及其制造方法。本发明的高压器件集成在第一种导电类型半导体衬底上，包括第二种导电类型半导体漂移区、第二种导电类型半导体源区、第二种导电类型半导体漏区、第二种导电类型半导体重掺...
- 乔明李燕妃蔡林希吴文杰许琬陈涛胡利志张波
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- 一种横向高压功率半导体器件
- 一种横向高压功率半导体器件，属于功率半导体器件技术领域。包括纵向超结元胞结构和终端结构；终端结构位于整体元胞结构的外侧或外围。纵向超结元胞结构在提高击穿电压的同时降低导通电阻，相比传统横向超结器件，纵向超结元胞结构减小了...
- 乔明章文通李燕妃许琬蔡林希吴文杰陈涛胡利志黄健文张波
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- 一种PSOI横向高压功率半导体器件
- 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种PSOI横向高压功率半导体器件。本发明的一种横向高压MOSFET，其特征在于，在源端下方引入第二导电类型半导体埋层，避免载流子在源端过度集中，减小器件在源端的功耗，从而改善器件的自...
- 乔明李燕妃许琬胡利志吴文杰蔡林希陈涛张波
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- 一种横向高压功率器件的结终端结构
- 一种横向高压功率半导体器件的结终端结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明针对专利文献CN102244092B提供的一种横向高压功率半导体器件的结终端结构中直线结终端结构和曲率结终端结构相连部分的电荷平衡问题，在保持器件...
- 乔明吴文杰李燕妃温恒娟陈涛胡利志周锌张波
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