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洪瑞金

作品数:6 被引量:4H指数:1
供职机构:中国科学院长春应用化学研究所更多>>
相关领域:电子电信化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇氮化镓
  • 4篇陶瓷
  • 4篇陶瓷体
  • 2篇氧化锂
  • 2篇碳酸锂
  • 2篇气相
  • 2篇气相反应
  • 2篇密封
  • 2篇晶体
  • 2篇
  • 2篇
  • 1篇致密
  • 1篇致密度
  • 1篇烧结体
  • 1篇能隙
  • 1篇气相法
  • 1篇相变
  • 1篇机械力化学
  • 1篇机械力化学效...
  • 1篇高温高压

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇洪瑞金
  • 5篇阎学伟
  • 5篇赵伟
  • 5篇马贤锋
  • 1篇汤华国

传媒

  • 1篇高压物理学报

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 2篇2001
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
氮化镓陶瓷体的制备方法
本发明属于氮化镓陶瓷体的制备方法。该方法将氮化镓粉末成型后,与氨基锂一起组装、密封在超高压装置中,通过高压烧结氮化镓粉末而获得其陶瓷体。
马贤锋洪瑞金阎学伟赵伟
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氮化镓陶瓷体的制备方法
本发明属于氮化镓陶瓷体的制备方法。该方法将氮化镓粉末成型后,与氨基锂一起组装、密封在超高压装置中,通过高压烧结氮化镓粉末而获得其陶瓷体。
马贤锋洪瑞金阎学伟赵伟
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镓酸锂晶体的制备方法
本发明属于镓酸锂晶体的制备方法。该方法是将能提供挥发性锂源的物质与能提供挥发性镓源的物质密封在温控炉中,气相反应。例如将碳酸锂,三氧化二镓,金属镓密封在温控炉中恒温加热,由于金属镓的加入使三氧化二镓挥发并与从碳酸锂中分解...
马贤锋洪瑞金阎学伟赵伟
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宽能隙半导体氮化镓的合成、相变与性质的研究
该文通过建立高氨压合成新技术,首次实现了GaN陶瓷体的合成.利用机械合金化产生的机械力化学效应,实现了h-GaN向c-GaN的相变.利用机械力化学反应方法完成了非晶纳米GaN粉末的室温反应合成.此外,还对GaN的衬底材料...
洪瑞金
关键词:氮化镓陶瓷体机械力化学效应气相法
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高温高压下氮化镓陶瓷体的制备被引量:4
2002年
在高温高压条件下 ,实验成功实现了氮化镓的烧结。首次将氨压应用到陶瓷体的烧结中 ,解决了GaN的分解、原料中残余的氧化物等问题 ,提高了烧结体的结晶度。研究了在氨压条件下温度对烧结致密度的影响。
洪瑞金马贤锋阎学伟赵伟汤华国
关键词:陶瓷体氮化镓高温高压烧结体致密度
镓酸锂晶体的制备方法
本发明属于镓酸锂晶体的制备方法。该方法是将能提供挥发性锂源的物质与能提供挥发性镓源的物质密封在温控炉中,气相反应。例如将碳酸锂,三氧化二镓,金属镓密封在温控炉中恒温加热,由于金属镓的加入使三氧化二镓挥发并与从碳酸锂中分解...
马贤锋洪瑞金阎学伟赵伟
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共1页<1>
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