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傅帅

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉理工大学更多>>
相关领域：金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 3篇陶瓷
  • 2篇数组
  • 2篇梯度材料
  • 2篇料层
  • 2篇高熵合金
  • 2篇合金
  • 2篇备料
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅陶瓷
  • 1篇断裂韧性
  • 1篇韧性
  • 1篇陶瓷材料
  • 1篇轴向压力
  • 1篇放电等离子
  • 1篇放电等离子体...
  • 1篇非氧化物

机构

  • 3篇武汉理工大学

作者

  • 3篇季伟
  • 3篇傅帅
  • 1篇张帆
  • 1篇王为民
  • 1篇傅正义

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
共 4 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种具有芯-缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法
本发明属于非氧化物基陶瓷材料技术领域，更具体地，涉及一种具有芯‑缘结构的氮化硅陶瓷的制备方法。以α‑Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>和Mg<Sub>2</Sub>Si的混合物为原料，在较大的轴向压力...
季伟陶浩宇秦笑威隋嘉骅傅帅王为民张帆傅正义
一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法
本发明提供一种高熵陶瓷‑高熵合金梯度材料及其制备方法。该材料由N层材料层烧结而成，其中N≥5；各层材料层中，硅的质量百分比为0wt％～5wt％，其余为高熵合金和高熵陶瓷；且从顶层材料层向下至底层材料层，高熵合金在每层材料...
季伟徐海跃傅帅
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一种高熵陶瓷-高熵合金梯度材料及其制备方法
本发明提供一种高熵陶瓷‑高熵合金梯度材料及其制备方法。该材料由N层材料层烧结而成，其中N≥5；各层材料层中，硅的质量百分比为0wt％～5wt％，其余为高熵合金和高熵陶瓷；且从顶层材料层向下至底层材料层，高熵合金在每层材料...
季伟徐海跃傅帅
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