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刘云燕

作品数：5 被引量：22H指数：3
供职机构：山东大学物理学院物理系更多>>
发文基金：山东省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇氮化镓
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体材料
  • 2篇MOCVD
  • 1篇电镜
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇射电
  • 1篇射线衍射
  • 1篇探测器
  • 1篇透射电镜
  • 1篇紫外光探测器
  • 1篇光电
  • 1篇光电导探测器
  • 1篇光探测
  • 1篇光探测器
  • 1篇光响应
  • 1篇和光
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN薄膜

机构

  • 5篇山东大学
  • 1篇淄博学院

作者

  • 5篇刘云燕
  • 4篇张德恒
  • 1篇张德骏
  • 1篇艾子萍
  • 1篇王卿璞

传媒

  • 1篇半导体情报
  • 1篇岩矿测试
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理

年份

  • 2篇2001
  • 3篇2000
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
N型氮化镓的结构和光电导特性
2001年
采用透射电镜高分辨反射电子衍射、扫描电镜形貌观察、X射线衍射等不同方法测试了不同Mg含量的N型氮化镓薄膜的结构。几种测试方法的比较表明 ,高分辨反射电子衍射是确定厚衬底的薄膜结构的快速而简便的方法 。
艾子萍刘云燕张德恒
关键词：透射电镜扫描电镜X射线衍射半导体材料
GaN紫外光电导探测器的研究被引量：3
2000年
回顾了近几年在 Ga N紫外光电导探测器上的研究进展 ,介绍了不同 Ga N光电导紫外光探测器的制备方法、光电参数及工作机理。
刘云燕张德恒王卿璞
关键词：氮化镓半导体材料
用MDCVD方法制备的GaN薄膜紫外光电导特性的研究
该文研究了用MOCVD方法制备的不同Mg掺杂浓度的GaN薄膜的结构、电学和光学性质.特别研究了它们的光电导特性.1.GaN薄膜是在MOCVD设备中生长的.2.用电子探针测量出五个样品Mg的掺杂量.3.霍耳效应测试表明未掺...
刘云燕
关键词：MOCVDGAN薄膜
文献传递
用MOCVD方法制备的n型GaN薄膜紫外光电导被引量：9
2001年
报道了用MOCVD方法制备的非掺杂的和Mg弱掺杂的n型GaN薄膜的紫外光电导特性 .结果表明这些n型样品具有显著的紫外光响应 ,而且光响应弛豫时间也较短 .在弱光范围 ,光响应随光强的变小呈线性减弱 ,且光响应的弛豫时间变长 .
张德恒刘云燕张德骏
关键词：MOCVD光响应
GaN紫外光探测器被引量：10
2000年
评述了近年来在GaN紫外光探测器方面的研究进展.介绍了GaN 光电导探测器、p- n 结二极管探测器、肖特基势垒探测器以及MSM 结构探测器的制备方法、光电参数及研究现状.
张德恒刘云燕
关键词：紫外光探测器氮化镓光电导探测器
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