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Si_4X(X=C,N,O,Si,P,S)原子簇结构的理论研究被引量：3: 2004年; 在密度泛函B3LYP/6-311G*水平上, 对具有C3v对称的Si4X (X = C, N, O, P, S)原子簇进行了几何构型优化计算, 并讨论它们的热力学稳定性、动力学活性、Mulliken布居、SiX键长、占据价轨道的对称性以及HOMO能级位置等周期递变规律。; 孙仁安张旭阎杰; 关键词：成键性质几何构型密度泛函半导体材料

球形平均场加推广单极对力模型的严格解: 2016年; 通过引入局域E_2对称性所得到的球形平均场加推广单极对力模型的严格解.该模型使形变平均场加推广对力模型成为新的可解模型的特例.作为应用,分别计算了^(12)O基态中的声子占有率和不同j轨道对在基态的无声子激发组分中的占有率并与无芯壳模型的计算结果进行了比较,从而揭示了该模型的适用性.通过该模型对质量奇偶差的拟合计算了^(12-28)O同位素的结合能并与实验结果进行了比较.; 潘峰李博郭华婷张旭

SiHCl/_3//H/_2外延生长单晶硅反应机理的理论研究: 在常压下，SiHCl/_3／H/_2体系在Si衬底表面上进行的气相外延生长是目前生长单晶硅最广泛、最重要的方法。本论文将量子化学与分子反应动力学相结合，采用密度泛函理论方法，依据过渡态理论，首次全面系统地对此反应体系的微...; 张旭; 文献传递

苯胺和乙二醇生成吲哚反应机理的DFT理论研究被引量：5: 2005年; 利用传统过渡态理论研究了苯胺和乙二醇生成吲哚反应的机理,设计了四种可能的反应通道.优化计算了反应物、产物和每个通道中可能的中间体和过渡态的几何构型,找出并确认了每个反应通道中各基元反应的可能过渡态和活化能.经分析对比给出该反应可能的主反应通道.同时初步探讨了在经过渡态TS1的基元反应中加入催化剂Ag后的反应机理.加入催化剂后,反应的活化能降低.; 孙仁安刘红艳张旭韩克利; 关键词：苯胺乙二醇吲哚过渡态 DFT理论研究

富氮杂环配位超分子化合物的合成、结构及光谱特征: 2015年; 以2,6-二(5-甲基-1H-吡唑-3-基)吡啶(简写为H2L)为第一配体,以均苯四甲酸和乙酸为第二配体,合成了2个新的配位超分子化合物[Ni(H2L)2]·(Me O-H2BTA)2(1)和Mn(H2L)(Ac)2(2)(H4BTA∶均苯四甲酸,HAc∶乙酸),并由元素分析、红外光谱、紫外-可见光谱以及X射线单晶衍射等对其进行了表征,分析了其光谱及结构特征。晶体结构分析表明,化合物1属于正交晶系,Pbcn空间群,a=0.95747(8)nm,b=1.99273(13)nm,c=2.50175(13)nm,α=90°,β=90°,γ=90°,V=4.773 3(6)nm3,Z=4;化合物2属于单斜晶系,Cc空间群,a=1.11300(13)nm,b=2.0239(2)nm,c=0.97308(12)nm,α=90°,β=118.555(16)°,γ=90°,V=1.9253(4)nm3,Z=4。; 刘聪关庆琳张芯瑞张旭杜欣洁邓璐瑶邢永恒; 关键词：镍配合物锰配合物晶体结构光谱

BrONO2与Cl（^2P3／2）的反应机理: 2002年; 采用密度泛函理论 (DFT)B3LYP方法 ,在 6 3 1G 基组下 ,研究了Cl(2 P3/2 ) +BrONO2 →BrCl +NO3和Cl(2 P3/2 )+BrONO2 →Br+ClONO2 的反应机理 .计算得到各可能反应途径的过渡态 ,并通过内禀反应坐标 (IRC)分析加以证实 .反应Cl(2 P3/2 ) +BrONO2 →BrCl +NO3有两种可能的反应途径 ,其活化能垒相差比较大 .途径I和途径II的活化能垒分别为 89.5kJ·mol- 1 和 61.2kJ·mol- 1 ,该反应为放热反应 ,放出的热量为 73 .4kJ·mol- 1 .反应Cl(2 P3/2 ) +BrONO2 →Br +ClONO2 的活化能垒为 47.8kJ·mol- 1 ,该反应为吸热反应 ,吸收的热量为 6.3kJ·mol- 1 ,这与大部分实验者的推论相一致 .反应Cl(2 P3/2 ) +BrONO2 →Br +ClONO2 的活化能垒比较低 ,为 47.8kJ·mol- 1 ,认定反应容易进行 .反应Cl(2 P3/2 ) +BrONO2 →BrCl+NO3途径II的活化能垒低 ,主要按途径II的反应途径进行 .; 陶占良孙仁安靳菲张旭韩克利; 关键词：密度泛函理论反应机理过渡态

Si_4X(X=C,N,O,F,Si,P,S,Cl)结构和稳定性的理论研究被引量：1: 2003年; 利用Gussian 98程序,B3LYP方法,在6 311G 水平上对Si4X(X=C,N,O,F,Si,P,S,Cl)原子簇的几何构型进行优化和频率计算,得出各原子簇的稳定结构.结果表明,Si5原子簇的最稳定构型具有D3h对称性.用杂原子X(X=C,N,O,F,P,S,Cl)取代Si5原子簇中的Si原子,几乎都得到C3V和C2V对称的稳定构型(Si4F原子簇只有C2V对称的稳定构型,Si4Cl原子簇不存在这两种稳定构型).对具有相同对称性的杂原子簇中Si—X键长变化规律进行研究,发现同一周期从左到右,Si—X键长与其对应的原子共价半径和相比较,其键长变化率逐渐增大.杂原子的加入对原Si5原子簇中的其它Si—Si键长影响不大.; 孙仁安张旭李钠; 关键词：几何构型稳定构型密度泛函方法

SiHCl_3-H_2气相外延生长Si单晶反应机理的理论研究被引量：2: 2006年; 采用密度泛函理论计算方法,在B3LYP/6-311G*水平下,计算并得到了SiHCl3与H2反应各反应通道上各驻点的构型、振动频率和能量.结果表明,在气相中SiHCl3分解的通道d和SiHCl3与H2反应的通道c为竞争反应,但其均未还原出Si原子,只有衬底Si参与SiHCl3-H2的反应,Si原子才淀积在Si衬底上.; 孙仁安张旭韩克利; 关键词：密度泛函理论过渡态反应机理速率常数

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张旭