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钴块镀镍层金相检验试样制备方法: 2022年; 主要研究了钴块镀镍层金相检验试样的制备方法,分别探讨了镶嵌方法、镶样材料、取样方法对金相检验试样质量的影响。结果表明:热镶嵌镀层试样质量较好;采用具有边缘保护作用的电木粉镶制试样质量最好;电火花线切割镀层试样容易使镀层脱落,整体镶嵌方法可以避免产生这种现象。钴块镀镍层金相检验试样制备的最佳方案是采用具有边缘保护作用的普通电木粉整体热镶嵌。; 杜艳华温丰贺进明池春霞; 关键词：金相检验镀镍层

氧化石墨烯掺杂UO_(2)芯块制备工艺及性能研究: 2024年; 氧化石墨烯(Graphene Oxide,GO)掺杂改性二氧化铀(UO_(2))芯块是高性能核燃料研究的重点方向之一。为实现GO在UO_(2)芯块中的均匀分布及掺杂量的有效控制,利用固-液混合法和重铀酸铵(Ammonium Diuranate,ADU)共沉淀法制备了不同GO掺杂量的UO_(2)粉末,研究了制粉方法及GO掺杂量对GO在UO_(2)中混合均匀性的影响。采用放电等离子烧结制备了不同GO掺杂量的UO_(2)-GO芯块,探索了不同烧结参数的影响,并对燃料芯块的性能进行测试。结果表明,固-液混合法制备的GO掺杂UO_(2)粉末混合均匀度更好;放电等离子烧结得到的UO_(2)-GO芯块密度最高可达97.6%T.D.;GO掺杂量为1.5 wt.%的芯块在1000℃下的热导率较常规UO_(2)芯块提高了85.9%;制备的UO_(2)-GO芯块晶粒尺寸较为均匀,GO均匀分布在晶界处并形成了桥联导热网络,有效提升了掺杂芯块的热导率。; 温丰温丰赵雨梦杨宁邵宗义刘伟蔡振方; 关键词：放电等离子烧结

一种耐高温复合屏蔽材料及其制备方法: 本发明涉及核辐射屏蔽材料技术领域，针对现有的聚合物基复合屏蔽材料耐高温性能不足以及制备条件苛刻的问题，本发明提供了一种耐高温复合屏蔽材料及其制备方法，通过利用表面修饰、真空浸渍和程序化升温等手段，将硅烷化处理的三维金属骨...; 李明阳刘颜硕胡秉坤邵宗义杜艳华刘伟蔡振方温丰

高温气冷堆核燃料元件生产线核材料衡算体系建立方法研究: 建立核材料衡算体系是核燃料元件生产线核材料管制的重要手段,是核保障体系的重要组成部分。中核北方核燃料元件有限公司已建成投产了世界上首条年产30万个球的高温气冷堆核燃料元件生产线。高温气冷堆核燃料元件结构形式和生产工艺与现...; 温丰刘丽莎袁磊张雷敏翟晶晶蒋园园; 关键词：核材料衡算高温气冷堆核燃料元件

熔铸法制备贫铀溅射靶片: 为制备高纯度、高密度,高表面光洁度,内部晶粒尺寸细小且均匀分布的贫铀溅射靶片,采用钙热还原贫铀铸锭开展了真空感应精炼、挤压、墩粗热加工、真空热处理工艺试验,制备了实心单质圆柱形贫铀溅射靶片。利用X射线衍射(XRD)、扫描...; 齐永良邹本慧郭洪温丰; 关键词：贫铀磁控溅射; 文献传递

一种钴芯块镀镍层金相样品制备方法: 本发明属于金相样品制备技术领域，具体涉及一种钴芯块镀镍层金相样品制备方法。步骤一，镶样：将镀镍钴芯块圆柱体整体取样进行镶嵌；步骤二，粗磨：将镶嵌后的钴芯块镀镍层试样纵剖面用水砂纸磨制；步骤三，抛光：用金钢石研磨膏将试样机...; 杜艳华池春霞郭显凤温丰贺进明李波

一种锆棒超声检测系统用旋转探伤机构: 本发明提供一种锆棒超声检测系统用旋转探伤机构。该旋转探伤机构包括主轴、导电滑环、探头座、长导套、短导套；主轴的主轴内腔采用多腔室结构，包括检测室、长导套内腔、短导套内腔；在主轴中部外连接有5～6个探头座；主轴一侧外设有长...; 马文军邹本慧俞东宝张力白金赵锐温丰汤慧雷金艳孙浩楠王剑平周委梅郭丞; 文献传递

一种钢丝绳连接螺母氧化膜金相样品制备方法: 本发明属于金相样品制备技术领域，具体涉及一种钢丝绳连接螺母氧化膜金相样品制备方法。将样品用环氧树脂镶嵌；将镶嵌后的样品纵向切开；将切割后的样品用水砂纸磨制；用金钢石研磨膏机械抛光，要求抛光至样品表面光亮无划痕。采用该方法...; 杜艳华池春霞温丰贺进明李波

超化学计量比氧化铀晶体的研究进展: 2020年; 氧化铀不仅是重要的核材料,也是潜在的多功能材料。UO2晶体具有优异的半导体性能和抗辐照能力,其禁带宽度(1.3 eV)与Si(1.1 eV)相近,塞贝克系数是常用热电材料BiTe的4倍,对太阳光的全吸收使其成为高效的太阳能电池材料,在半导体、太阳能和热电等领域具有巨大的应用潜力。但是UO2随着环境变化会出现从缺氧到过氧的价态变化(UO2±x,x=–0.5~1),即超化学计量比特性,给材料制备和性能控制等方面带来很多问题。本文从相图出发,总结了各种铀氧化物的结构及其稳定性,重点聚焦UO2晶体的研究进展。理想化学计量比UO2被认为是最好的Mott绝缘体,其电导率是相对稳定的;超化学计量比氧化铀则具有半导体特性,其电导率、热导率、扩散系数以及光学性能都与x密切相关。目前,UO2晶体生长主要采用化学气相输运法(CVT)、冷坩埚法、水热法、升华法、助熔剂法等,晶体尺寸和质量还不理想,冷坩埚法和水热法被认为是最有潜力的生长技术。氧化铀单晶生长研究不仅有助于深入了解UO2材料特性,也为其在太阳能电池、热电器件以及未来电子学领域的应用提供可能性。; 徐家跃李志超潘芸芳周鼎温丰马文军; 关键词：氧化铀晶体生长半导体热电

一种消除焊缝气胀缺陷的端塞: 本发明涉及核燃料元件制造技术领域，具体公开了一种消除焊缝气胀缺陷的端塞，端塞插入包壳管内的配合段为圆柱体结构，其余部分加工为锥面；在端塞与包壳管的配合段上加工有导气槽，作为焊接过程中产生的气体排入包壳管内腔的通道。本发明...; 鲁杭杭蔡振方皇泽中温丰张洲峰刘斌邢文军郭庆祥

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