2024年11月7日
星期四
|
欢迎来到营口市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
李家驹
作品数:
17
被引量:0
H指数:0
供职机构:
电子科技大学
更多>>
相关领域:
电子电信
更多>>
合作作者
任敏
电子科技大学
李泽宏
电子科技大学
罗蕾
电子科技大学
李爽
电子科技大学
张波
电子科技大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
17篇
中文专利
领域
3篇
电子电信
主题
11篇
半导体
7篇
功率器件
6篇
肖特基
6篇
功率半导体
6篇
功率半导体器...
6篇
半导体器件
5篇
漂移区
5篇
终端结构
5篇
终端区
5篇
肖特基结
5篇
半导体技术
4篇
电场
4篇
纵向电场
4篇
表面电场
4篇
场限环
3篇
导通
3篇
高压功率器件
2篇
导通电阻
2篇
电场分布
2篇
电场线
机构
17篇
电子科技大学
作者
17篇
李泽宏
17篇
任敏
17篇
李家驹
13篇
罗蕾
11篇
李爽
10篇
张波
8篇
张金平
8篇
高巍
7篇
陈哲
7篇
曹晓峰
7篇
陈文梅
4篇
谢驰
年份
4篇
2019
3篇
2018
1篇
2017
9篇
2016
共
17
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种功率半导体器件的场限环终端结构
本发明属于半导体功率器件制备技术领域,特别涉及一种功率半导体器件的场限环终端结构。该终端结构的终端区域具有两个或两个以上的深度不等的沟槽,所述沟槽紧密相连且沟槽内填充有相同的绝缘介质,所述沟槽中深度最小的沟槽的上侧面与有...
任敏
包惠萍
林育赐
谢驰
李家驹
李泽宏
张波
一种沟槽结构的VDMOS
本发明属于半导体技术领域,特别涉及一种沟槽结构的VDMOS器件。本发明主要在体内沟槽中有二氧化硅层包裹着的两个或两个以上的多晶硅岛,这些多晶硅岛中存储着负电荷。由于多晶硅岛被绝缘层包围,负电荷将固定在多晶硅岛内。每个多晶...
任敏
李爽
李家驹
罗蕾
李泽宏
张金平
高巍
张波
文献传递
一种高压功率器件终端区结构
本发明属于半导体技术,特别涉及一种提高终端区耐压的高压功率器件结构。本发明主要是具有位于硅片体内的SIPOS区4和位于硅片表面的SIPOS区5以及连接SIPOS区4、SIPOS区5的SIPOS柱12,器件处于反向阻断状态...
李泽宏
李爽
陈文梅
陈哲
曹晓峰
李家驹
罗蕾
任敏
一种集成沟槽肖特基的MOSFET
本发明属于半导体技术,特别涉及一种集成沟槽肖特基的MOSFET。该集成沟槽肖特基的MOSFET为在MOSFET中集成有由肖特基接触与衬底形成的肖特基二极管,肖特基结由金属层与N型轻掺杂环接触形成,位于MOSFET槽型栅极...
李泽宏
李爽
陈文梅
陈哲
曹晓峰
李家驹
罗蕾
任敏
文献传递
一种沟槽结构的VDMOS
本发明属于半导体技术领域,特别涉及一种沟槽结构的VDMOS器件。本发明主要在体内沟槽中有二氧化硅层包裹着的两个或两个以上的多晶硅岛,这些多晶硅岛中存储着负电荷。由于多晶硅岛被绝缘层包围,负电荷将固定在多晶硅岛内。每个多晶...
任敏
李爽
李家驹
罗蕾
李泽宏
张金平
高巍
张波
文献传递
一种功率半导体器件的场限环终端结构
本发明属于半导体功率器件制备技术领域,特别涉及一种功率半导体器件的场限环终端结构。该终端结构的终端区域具有两个或两个以上的深度不等的沟槽,所述沟槽紧密相连且沟槽内填充有相同的绝缘介质,所述沟槽中深度最小的沟槽的上侧面与有...
任敏
包惠萍
林育赐
谢驰
李家驹
李泽宏
张波
文献传递
一种高压功率器件终端区结构
本发明属于半导体技术,特别涉及一种提高终端区耐压的高压功率器件结构。本发明主要是具有位于硅片体内的SIPOS区4和位于硅片表面的SIPOS区5以及连接SIPOS区4、SIPOS区5的SIPOS柱12,器件处于反向阻断状态...
李泽宏
李爽
陈文梅
陈哲
曹晓峰
李家驹
罗蕾
任敏
文献传递
一种积累型功率DMOS器件
本发明涉及功率半导体器件技术领域,具体涉及到一种积累型DMOS。本发明提出的一种积累型功率DMOS器件新结构,利用肖特基结的势垒区耗尽栅下的半导体区,从而解决常规积累型功率DMOS为常开型器件的问题。本发明提出的积累型功...
任敏
罗蕾
李家驹
钟子期
李泽宏
张金平
高巍
张波
一种集成肖特基二极管的积累型屏蔽栅MOSFET
本发明属于半导体技术,特别涉及一种积累型的屏蔽栅MOSFET集成肖特基二极管,形成于硅衬底上且屏蔽栅MOSFET和肖特基二极管的形成区域分开且相邻。积累型屏蔽栅MOSFET具有屏蔽栅的结构,肖特基二极管具有和屏蔽栅MOS...
李泽宏
李爽
陈文梅
陈哲
曹晓峰
李家驹
罗蕾
任敏
文献传递
一种功率半导体器件的沟槽型终端结构
本发明属于半导体技术领域,涉及一种功率半导体器件的沟槽型终端结构。本发明的核心思想是采用剖面形状呈倒梯形的深槽,降低深槽刻蚀和介质填充的难度。同时,为了节省终端面积,在槽壁与水平面之间的夹角较大的情况下实现高耐压,在深槽...
任敏
谢驰
李家驹
钟子期
李泽宏
张金平
高巍
张波
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张