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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇晶须
  • 2篇SIC晶须
  • 1篇电损耗
  • 1篇烧结温度
  • 1篇微波
  • 1篇微波合成
  • 1篇微波烧结
  • 1篇吸波
  • 1篇吸波性能
  • 1篇介电
  • 1篇介电损耗
  • 1篇硅源
  • 1篇长径比

机构

  • 2篇郑州航空工业...

作者

  • 2篇范冰冰
  • 2篇吴昊
  • 2篇郭晓琴
  • 2篇张锐
  • 2篇解亚军
  • 2篇邵刚
  • 2篇张亮

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种SiC晶须的制备方法
本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,包括下列步骤:1)取碳源和硅源制成前驱体;2)将步骤1)所得前驱体压制成片后,埋入石英砂中,进行微波烧结合成反应,即得。本发明的SiC晶须的制备方法,利用碳优良的吸波性能,采用直接微...
张锐范冰冰邵刚郭晓琴解亚军宋勃震管可可吴昊张亮
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一种SiC晶须的制备方法
本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,包括下列步骤:1)取碳源和硅源制成前驱体;2)将步骤1)所得前驱体压制成片后,埋入石英砂中,进行微波烧结合成反应,即得。本发明的SiC晶须的制备方法,利用碳优良的吸波性能,采用直接微...
张锐范冰冰邵刚郭晓琴解亚军宋勃震管可可吴昊张亮
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共1页<1>
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