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李侃

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇纳米线
  • 2篇多步
  • 2篇锑化铟
  • 2篇孪晶
  • 2篇锰掺杂
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体结构
  • 2篇壳结构
  • 2篇和晶
  • 2篇掺杂
  • 2篇成核
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶生长
  • 1篇点阵
  • 1篇电学性能
  • 1篇砷化镓
  • 1篇排气
  • 1篇气相
  • 1篇气相沉积

机构

  • 6篇北京大学

作者

  • 6篇徐洪起
  • 6篇邢英杰
  • 6篇李侃
  • 3篇王晶云
  • 2篇李明

年份

  • 2篇2018
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法
本发明涉及一种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核‑壳结构；然后对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理，...
张秋筠洪艳雪李侃邢英杰徐洪起
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一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法
本发明提供一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)Si/SiO<Sub>2</Sub>衬底经过净化处理后，在表面滴撒金颗粒水溶液，再使水分完全挥发；2)将步骤1)处理过的Si/SiO<Sub>2</Sub>...
李侃邢英杰徐洪起
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化学气相沉积方法生长单晶砷化镓纳米线
As是一种直接禁带半导体材料,有较大的禁带宽度(1.4eV),相比于硅有更高的迁移率(8500cm2/(V&#183;s)at300K),更高的饱和漂移速度(2.1*107cm/s)和更小的电子有效质量(0.068m0)...
李侃王晶云邢英杰徐洪起
关键词：单晶生长化学气相沉积法光学性能电学性能
一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法
本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意...
李明王晶云李侃邢英杰徐洪起
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基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法
本发明涉及一种基于多步掠射角沉积法的锑化铟纳米线制备与锰掺杂方法。首先采用多步掠射角沉积技术制备单晶纯In纳米线；然后在纯In纳米线表面沉积Sb膜层，形成In、Sb的核‑壳结构；然后对In、Sb的核‑壳结构进行退火处理，...
张秋筠洪艳雪李侃邢英杰徐洪起
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一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法
本发明公开了一种制备特定形貌和晶体结构的InAs纳米线的方法，通过调节载气流速，可以有效地控制纳米线的形貌和晶体结构。本发明为实现低成本高有效地生长InAs纳米线提供了参考，为CVD生长纳米线的可控性方面提供了部分指导意...
李明王晶云李侃邢英杰徐洪起
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