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何祝兵

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：深圳大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇硫化
  • 3篇硫化钼
  • 2篇电磁性能
  • 2篇氧化石墨
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇四氧化三铁
  • 2篇无机纳米
  • 2篇吸波
  • 2篇吸波材料
  • 2篇硫粉
  • 2篇膜材料
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米薄膜材料
  • 2篇禁带
  • 2篇宽禁带
  • 2篇复合吸波
  • 2篇复合吸波材料
  • 2篇SUB
  • 2篇GAN

机构

  • 8篇深圳大学

作者

  • 8篇吕有明
  • 8篇刘新科
  • 8篇俞文杰
  • 8篇陈乐
  • 8篇何祝兵
  • 8篇李奎龙
  • 6篇贾芳
  • 6篇韩舜
  • 6篇柳文军
  • 6篇朱德亮
  • 6篇曹培江
  • 6篇曾玉祥

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2017
  • 3篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法
本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种以GaN为衬底制备二硫化钼薄膜的方法，以GaN为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜；所述生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜的过程为：以...
刘新科李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法
本发明适用于吸波材料领域，提供了一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：制备氧化石墨烯分散液、FeCl<Sub>2</Sub>溶液及FeCl<Sub>3</Sub>溶液；将上述三种液体混...
刘新科刘睿李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明洪家伟
一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法
本发明适用于吸波材料领域，提供了一种石墨烯/四氧化三铁复合吸波材料及其制备方法。所述制备方法包括以下步骤：制备氧化石墨烯分散液、FeCl<Sub>2</Sub>溶液及FeCl<Sub>3</Sub>溶液；将上述三种液体混...
刘新科刘睿李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明洪家伟
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一种环栅结构场效应晶体管及其制备方法
本发明适用于半导体器件，提供了一种环栅结构场效应晶体管，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层，所述绝缘层...
何佳铸刘新科李奎龙陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法
本发明公开了一种基于Fe掺GaN衬底的二硫化钼光电探测器和制备方法，其包括在Fe掺GaN衬底表面生长一MoS2薄膜层；以及在MoS2薄膜层的表面生长一SiO<Sub>2</Sub>层；其中，在MoS2薄膜层上制备两Au欧...
刘新科李奎龙陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种GaN‑MoS<Sub>2</Sub>分波段探测器及其制备方法
本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS<Sub>2</Sub>分波段探测器，包括：GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS<Sub>2</Sub>材料...
刘新科李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种二硫化钼薄膜及其制备方法
本发明适用于无机纳米膜材料技术领域，提供了一种二硫化钼薄膜的制备方法，以蓝宝石为衬底，使用CVD法在所述衬底表面生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜；所述生成MoS<Sub>2</Sub>薄膜的过程为：以硫粉和MoO<...
刘新科何佳铸李奎龙陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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一种GaN‑MoS&lt;sub&gt;2&lt;/sub&gt;分波段探测器及其制备方法
本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS<Sub>2</Sub>分波段探测器，包括：GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS<Sub>2</Sub>材料...
刘新科李奎龙何佳铸陈乐何祝兵俞文杰吕有明韩舜曹培江柳文军曾玉祥贾芳朱德亮洪家伟
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