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赵洋

作品数:55 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 51篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇自动化与计算...
  • 7篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇热电
  • 11篇纳米
  • 10篇电器件
  • 9篇碳纳米管
  • 9篇纳米管
  • 8篇热电器件
  • 8篇激光
  • 7篇刻蚀
  • 7篇感器
  • 7篇传感
  • 7篇传感器
  • 6篇基板
  • 5篇单晶
  • 5篇单晶硅
  • 5篇真空密封
  • 5篇碳纳米管薄膜
  • 5篇透射电镜
  • 5篇溅射
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射

机构

  • 55篇中国科学院金...
  • 1篇沈阳建筑大学
  • 1篇沈阳化工大学
  • 1篇沈阳材料科学...

作者

  • 55篇赵洋
  • 53篇邰凯平
  • 20篇靳群
  • 19篇姜辛
  • 8篇谭军
  • 6篇孙东明
  • 3篇刘鲁生
  • 3篇雷浩
  • 3篇史文博
  • 2篇徐明
  • 1篇万晔
  • 1篇刘畅

传媒

  • 1篇金属学报
  • 1篇功能材料

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 8篇2022
  • 9篇2021
  • 8篇2020
  • 11篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 3篇2016
55 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种柔性化、可拉伸变形的微型热电发电器件及制作方法
本发明属于半导体器件领域,具体涉及一种柔性化、可拉伸变形的微型热电发电器件及制作方法。该微型热电发电器件包括弹性硅胶基底和柔性热电复合薄膜,柔性热电复合薄膜通过物理吸附在弹性硅胶基底的弹性硅胶凸台上,对柔性基底膜进行切割...
邰凯平刘瑞赵洋喻海龙王春雨聂鹏程
一种自支撑薄膜类透射电镜样品及其制备方法
本发明涉及透射电子显微镜样品制备技术领域,具体为一种自支撑薄膜类透射电镜样品及其制备方法。该薄膜类材料包括:利用物理和化学气相沉积方法,例如磁控溅射沉积技术制备的自支撑金属材料、非金属材料、复合材料等。该方法包括:利用超...
邰凯平毛鹏燕靳群赵洋姜辛
文献传递
一种基于碲纳米线垂直结构的热电-压电器件
本实用新型属于传感器以及材料制备领域,涉及一种基于碲纳米线垂直结构的热电‑压电器件,整体为上下垂直的三明治结构,从下往上为:柔性导电基底、多根碲纳米线、PDMS层以及柔性电极板,多根碲纳米线垂直生长在柔性导电基底上,在柔...
邰凯平向征赵洋喻海龙胡振清徐明聂鹏程何娟
一种无损转移自支撑低维材料的方法
本发明涉及低维功能材料科学和材料测试分析技术研究领域,具体为一种针对箔材、薄膜、二维材料等进行精确定位、裁剪、无损转移自支撑低维材料的方法。由于大部分需要进行转移操作的自支撑低维材料,其厚度在几纳米到几百微米不等,面内尺...
邰凯平赵洋靳群康斯清姜辛
文献传递
一种用于集成微型热电换能器件的装置
本发明涉及半导体器件领域,具体涉及一种用于集成微型热电换能器件的装置。该装置的减震支撑基座设有大理石支架和减震平台,大理石支架放置在减震平台上;显微识别定位系统固定在大理石支架和减震平台上,转移吸附系统固定在大理石支架上...
邰凯平赵洋乔吉祥孙东明
文献传递
包壳材料/纳米晶/碳纳米管复合结构材料及其制备方法
本发明属于复合材料和抗辐照损伤材料领域,具体为一种包壳材料/纳米晶/碳纳米管复合结构材料及其制备方法。该复合材料包括:自支撑CNTs为基体,在其表面均匀附着纳米晶及高温热稳定的包壳材料。该制备方法包括:将CNTs基底在2...
邰凯平毛鹏燕崔刊乔吉祥赵洋康斯清
利用微束激光对材料进行精细加工和处理的装置
本实用新型涉及激光微区加工和处理技术领域,具体涉及一种利用微束激光对材料进行精细加工和处理的装置。该装置包括激光器及汇聚系统、样品台机械数控移动系统、显微观察定位系统、计算机集中数据监控及可视化系统和减震系统。利用上述装...
邰凯平赵洋靳群毛鹏燕乔吉祥姜辛
文献传递
一种微型热电器件
本实用新型涉及半导体器件领域,具体为一种微型热电器件。该热电器件包括底部基板、顶部基板和热电单元,热电单元位于底部基板和顶部基板之间,底部基板通过其上的电极层和焊接涂层与热电单元的底部连接,顶部基板通过其上的电极层和焊接...
邰凯平赵洋
文献传递
磁控溅射沉积制备SnSe薄膜及其热电性能研究被引量:1
2021年
因为晶体结构以及热电性能各向异性,硒化锡(SnSe)沿b轴方向表现出优异的热电性能,受到业内的广泛关注。但关于SnSe薄膜研究的报道较少。本研究利用磁控溅射技术,将SnSe沉积到Si/SiO_(2)基底得到SnSe薄膜,分析了沉积温度对SnSe薄膜结构和热电性能的影响。结果显示:沉积温度升高,晶粒尺寸相应增加,薄膜的结晶质量也随之提高。在573 K的沉积温度条件下,能获得高结晶质量和良好化学计量比的(111)取向SnSe薄膜,该薄膜具有约为1.25μW/(cm·K^(2))的最大功率因子(PF)。当沉积温度升高至773 K时,可以得到具有超高迁移率和赛贝克系数的(400)织构SnSe薄膜,该薄膜在573 K的测试温度下,其最大PF为0.5μW/(cm·K^(2)),实现接近于文献报道的相同温度下单晶SnSe沿a轴的PF。本研究的结果证明了高沉积温度对SnSe薄膜微观结构和热电性能调控的重要性,并且为通过设计和调控SnSe基薄膜有序结构来提升其热电性能提供了新的研究思路。
崔岩乔吉祥赵洋邰凯平万晔
关键词:磁控溅射热电性能织构功率因子
利用微束激光对材料进行精细加工和处理的装置和方法
本发明涉及激光微区加工和处理技术领域,具体涉及一种利用微束激光对材料进行精细加工和激光微区照射处理的装置和方法。该装置包括激光器及汇聚系统、样品台机械数控移动系统、显微观察定位系统、计算机集中数据监控及可视化系统和减震系...
邰凯平赵洋靳群毛鹏燕乔吉祥姜辛
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