您的位置： 专家智库 > >

褚庆

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安工程大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇碳化硅
  • 3篇异质结
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇碳化硅基
  • 3篇硅基
  • 3篇锗
  • 2篇电极
  • 2篇电器件
  • 2篇引出电极
  • 2篇碳化硅材料
  • 2篇通信
  • 2篇紫外光源
  • 2篇晶体
  • 2篇光电
  • 2篇光电器件
  • 2篇光源
  • 2篇硅材料
  • 2篇红外通信
  • 2篇PIN结构

机构

  • 5篇西安工程大学

作者

  • 5篇褚庆
  • 4篇李连碧
  • 4篇臧源
  • 4篇宋立勋
  • 4篇蒲红斌
  • 4篇封先锋
  • 3篇涂喆研
  • 3篇冯松
  • 1篇雷倩倩

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄...
李连碧臧源冯松蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研韩雨凌褚庆
文献传递
碳化硅基石墨烯/锗异质结制备与特性研究
由于碳化硅（SiC）半导体材料具有较宽的禁带宽度以及对紫外光的吸收率高，使其在紫外光控器件方面受到高度的关注。但是，SiC材料对可见光、近红外光并不敏感，从而限制了其在非紫外光器件领域的应用。因此，本文使用低压化学气相沉...
褚庆
关键词：碳化硅异质结转移法化学气相沉积
一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法
本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0....
李连碧臧源宋立勋蒲红斌封先锋涂喆研韩雨凌褚庆
文献传递
一种碳化硅/晶体-锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法
本发明公开一种碳化硅/晶体‑锗/石墨烯异质结光电器件及其制造方法，该光电器件包括两电极，两电极之间从上往下依次连接有石墨烯层、晶体锗薄膜层、单晶碳化硅衬底，所述石墨烯层为单原子层厚或者多原子层厚，晶体锗薄膜层的厚度为0....
李连碧臧源胡继超林生晃贺小敏韩雨凌褚庆蒲红斌封先锋冯松宋立勋雷倩倩
文献传递
一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管及其制备方法
本发明公开了一种碳化硅基PIN结构近红外光电二极管，本发明还公开了碳化硅基PIN结构近红外光电二极管的制备方法，首先对N型单晶碳化硅衬底进行清洗，清洗后用氮气吹干待用，然后对N型单晶碳化硅衬底进行沉积，沉积出本征晶体锗薄...
李连碧臧源冯松蒲红斌封先锋宋立勋涂喆研韩雨凌褚庆
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0