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3ω法在薄膜界面热阻测量中的应用: 电子设备小型化带来的热效应问题使得提高薄膜材料热导率和降低薄膜与基底的界面热阻成为提高薄膜器件可靠性的关键因素。设备的过热可能导致电子材料性能有严重退化甚至失效的风险。因此，对材料热学性能的表征对于电子设备的设计和制造至...; 何龙; 关键词：二氧化硅热导率界面热阻测试系统

3ω法测量钛酸钡薄膜的热导率被引量：2: 2016年; 电子设备小型化带来的热效应问题,使得提高薄膜材料热导率和降低薄膜与基底的界面热阻成为提高薄膜器件可靠性的关键因素,因此测量薄膜器件热性能成为了电子工业中愈发重要的课题。钙钛矿结构的钛酸钡作为一种高介电常数材料,在电子工业中被广泛使用。通过建立一套3ω法测试系统,测试了使用高分子辅助沉积法在SiO_2薄膜上沉积的钛酸钡薄膜样品的热导率,并通过不同厚度薄膜热阻与热导率的关系,计算出钛酸钡薄膜的热导率为5.63 W/mK,钛酸钡与SiO_2的界面热阻为2.13×10^(-8)m^2W/K。; 何龙姚光潘泰松高敏林媛; 关键词：钛酸钡热导率界面热阻

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何龙