林金鑫
- 作品数：3 被引量：10H指数：2
- 供职机构：浙江理工大学机械与自动控制学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- 聚吡咯包覆CoMoO4纳米片自组装多孔柱阵列的制备及其赝电容性能研究被引量：2
- 2017年
- 采用水热法结合电化学聚合技术在泡沫镍上生长聚吡咯包覆的CoMoO_4纳米片自组装多孔柱阵列。通过XRD、FTIR和SEM分析产物的组成与结构,发现产物呈现聚吡咯包覆CoMoO_4纳米片自组装多孔柱阵列的复合结构。通过恒流充放电、循环伏安法研究CoMoO_4的超电容性能,在电流密度为100mA·g^(-1)的条件下,包覆CoMoO_4的比电容为1205F·g^(-1);在200mA·g^(-1)充放电循环3000次后,比电容值仍保持为初始值的85.7%,是未包覆CoMoO_4材料的1.6倍,聚吡咯包覆CoMoO_4纳米片自组装多孔柱阵列具有良好的赝电容特性和循环稳定性。
- 张志强袁永锋郭绍义林金鑫戎泽
- 关键词：聚吡咯电化学聚合超级电容器
- NiO/MnO_2分级纳米片阵列复合材料的制备与超电容性能被引量：7
- 2017年
- 通过化学浴沉积和水热法在泡沫镍上制备了NiO/MnO_2分级纳米片阵列复合材料,XRD和SEM测试表明NiO纳米片垂直生长在泡沫镍上,交叉形成网状阵列结构;MnO_2纳米介孔泡沫进一步生长在NiO纳米片两侧,与NiO形成了壳核式的复合结构。循环伏安和恒流充放电测试发现,NiO/MnO_2分级纳米片阵列复合材料的电化学性能相比复合前得到明显改善,在1 A·g^(-1)的电流密度下,比电容提高至1 297 F·g^(-1);2 A·g^(-1)下循环1 000次,比电容保持率高达97%,比电容和循环性能的改善是由于分级纳米片阵列复合结构方便了电解液传质,扩大了活性材料与电解液的接触,促进了赝电容反应,提高了NiO和MnO_2的结构稳定性。
- 杨金林林金鑫郭绍义
- 关键词：NIOMNO2超级电容器
- C包覆CoMoO_4复合纳米片阵列材料的制备和赝电容性能的研究被引量：1
- 2017年
- 采用两步水热法,结合高温煅烧工艺,制备了直接生长在泡沫Ni基底上的C包覆CoMoO_4复合纳米片阵列材料。利用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)和场发射扫描电子显微镜(SEM)分析C包覆CoMoO_4的结构特征,结果表明C成功包覆在多孔交联CoMoO_4纳米片的表面。通过循环伏安法和恒流充放电法分析C包覆CoMoO_4的电化学性能,发现C包覆显著提高CoMoO_4的比电容和循环性能。在1A/g的电流密度下循环2000次,最高比电容达1864.79F/g,比电容保持率86.65%。比电容和循环性能的改善是由于碳包覆提高了CoMoO_4电导率和结构稳定性,促进了赝电容反应。
- 戎泽袁永锋郭绍义林金鑫张志强
- 关键词：超级电容器碳包覆
