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唐新灵

作品数：18 被引量：21H指数：2
供职机构：华北电力大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程

主题

  • 7篇金属
  • 6篇电感
  • 6篇电极
  • 6篇压接
  • 6篇压接式
  • 6篇发射极
  • 5篇管壳
  • 4篇杂散电感
  • 4篇金属电极
  • 4篇二极管
  • 4篇IGBT
  • 3篇电流
  • 3篇端盖
  • 3篇栅极
  • 3篇瞬态
  • 3篇瞬态电流
  • 3篇凸台
  • 3篇主回路
  • 3篇芯片筛选
  • 3篇开关

机构

  • 18篇华北电力大学
  • 12篇国家电网公司
  • 7篇全球能源互联...
  • 6篇国网智能电网...

作者

  • 18篇唐新灵
  • 13篇崔翔
  • 8篇赵志斌
  • 4篇彭程
  • 2篇李学宝

传媒

  • 1篇华北电力大学...

年份

  • 2篇2024
  • 6篇2020
  • 1篇2019
  • 6篇2017
  • 3篇2016
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
便于串联使用的大功率IGBT模块
本实用新型提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且...
唐新灵莫申杨崔翔赵志斌张朋李金元温家良
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一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法
本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容，电感，被测IGBT，辅助IGBT，续流二极管，负载电阻，直流电压源，驱动脉冲生成器，电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路，通过一...
彭程顾妙松杨艺烜赵志斌崔翔李学宝唐新灵
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感性负载条件下IGBT开通过程分析被引量：13
2017年
针对IGBT的开通过程中,研究了感性负载条件下IGBT的开通过程中栅极电压、集电极电流、集射极电压随时间变化的特点及其相互关系。详细阐述了栅极电容随栅极电压变化的机理以及栅极平台电压产生的机理,分析了驱动电阻对栅极电压的影响。根据IGBT开通电流特点,提出用二次函数来拟合IGBT开通时的集电极电流波形,同时还分析了主回路杂散电感对开通波形的影响。搭建了IGBT动态开关特性测试平台,测量结果验证了本文分析的正确性。
唐新灵崔翔张朋李金元赵哿
关键词：IGBT感性负载
一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构
本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆...
唐新灵莫申杨崔翔赵志斌张朋李金元温家良
一种大功率压接式IGBT驱动线
本发明提供一种大功率压接式IGBT驱动线，所述大功率压接式IGBT具有驱动信号输入端子和驱动信号输出端子；所述驱动线包括同轴设置且彼此绝缘的驱动信号出入层和驱动信号输出层；所述驱动信号输入层连接所述驱动信号输入端子；所述...
李金元唐新灵崔翔张朋赵志斌温家良
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一种凸台高度可变的压接式IGBT模块
本发明提供一种凸台高度可变的压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上分布有凹槽，每个凹槽中容纳一凸台，所述凸台底部为向上凹陷的凹面；所述凸台与上端金属电极之间压接有功率...
唐新灵崔翔赵志斌张朋李金元温家良
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基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构
本实用新型提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包...
唐新灵莫申杨崔翔赵志斌张朋李金元温家良
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一种便于串联使用的大功率IGBT模块
本发明提供了一种便于串联使用的大功率IGBT模块，包括功率子单元、金属电极板和外部管壳；金属电极板设置在外部管壳的底部；外部管壳包括两列方形框架；两列方形框架之间留有空间形成一个条状框架；功率子单元设置在方形框架内且与金...
唐新灵莫申杨崔翔赵志斌张朋李金元温家良
一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件
本发明公开一种并联均流测试平台及方法和一种金属电极组件。该平台用于IGBT芯片和二极管芯片的并联均流测试；该平台包括现场主控机、高压直流电源、防爆电容器、反向恢复二极管、电抗器、IGBT驱动器、光波信号发生器、罗果夫斯基...
顾妙松彭程赵志斌唐新灵崔翔
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一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构
本发明提供了一种基于开关特性测量的IGBT芯片筛选结构，包括上端盖、下端盖和发射极金属电极；上端盖和下端盖均为凹形盖，上端盖和下端盖的两侧壁通过外框架弹簧连接形成一个长方体框架；发射极金属电极设置在长方体框架内，其包括圆...
唐新灵莫申杨崔翔赵志斌张朋李金元温家良
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