马武英
- 作品数：89 被引量：67H指数：5
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术理学更多>>
- 核与空间辐射效应模拟试验技术研究被引量：1
- 2023年
- 在天然与人为辐射环境中,辐射可能在电子器件中引发瞬时电离、单粒子、位移损伤、总剂量等多种辐射效应,导致器件性能退化、功能异常、故障甚至损毁,是制约电子器件及所属系统长期、稳定、可靠工作的关键.核与空间辐射效应模拟试验技术是抗辐射加固的基础,可用于研究辐射效应机理、检验抗辐射加固方法有效性,是提升电子器件和系统抗辐射能力不可或缺的重要手段.本文从瞬时电离辐射效应模拟试验技术、空间单粒子效应模拟试验技术、位移损伤效应模拟试验技术、总剂量效应模拟试验技术四个方面出发,梳理了辐射效应研究和模拟试验装置现状,结合微电子工艺的发展趋势,分析提炼需要重点关注的科学问题与技术问题,为抗辐射加固技术创新发展提供参考.
- 陈伟陈伟马武英罗尹虹丁李利马武英刘岩王晨辉姚崇斌丁李利郭晓强王祖军吴伟
- 质子辐射环境下PNP输入双极运算放大器辐照效应与退火特性被引量：2
- 2015年
- 对不同偏置下的PNP输入双极运算放大器在3、10 MeV两种质子能量下的辐照效应进行了研究,并将质子辐射损伤效应与0.5Gy(Si)/s剂量率60 Coγ射线辐射损伤效应进行了比较,以探究质子和γ射线产生的辐射损伤之间的对应关系。结果表明,运放LM837对γ射线的敏感程度较10 MeV质子和3 MeV质子的小,然而其室温退火后的后损伤效应却更严重;相同等效总剂量条件下,10 MeV质子造成的损伤较3 MeV质子的高;质子辐射中器件的偏置条件对损伤影响不大。
- 姜柯陆妩马武英郭旗何承发王信曾俊哲刘默涵
- 一种光电图像传感器辐射瞬态响应的测试方法
- 本发明提供一种光电图像传感器辐射瞬态响应的测试方法，该方法解决了不同辐射环境下光电图像传感器瞬态响应典型特征及规律实验测试的问题，实现对瞬态响应快速、准确测试与分析，为应用于辐射环境下光电图像传感器辐射噪声处理、辐射信号...
- 王祖军薛院院陈伟刘敏波姚志斌何宝平盛江坤马武英缑石龙
- 文献传递
- 基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法
- 本发明涉及一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，该方法提高了CMOS工艺器件抗总剂量能力，解决了CMOS器件在空间辐射中长时间应用，使电子器件性能退变，甚至功能失效的问题。其包括1)确定待加固CMOS工艺器件的最...
- 马武英何振山丛培天姚志斌王祖军何宝平盛江坤董观涛薛院院
- 文献传递
- 锗硅异质结晶体管电离辐照效应研究
- 本文利用60Coγ射线对两款国产商用Site HBT器件进行了不同剂量的对比辐照实验，研究了其辐照前后直流特性的变化。实验结果以及分析可知，发射结边缘氧化物侧墙是Site HBT器件辐照敏感区域，其中辐射诱导产生的界面态...
- 刘默涵陆妩马武英郭旗王信姜柯
- 关键词：电离辐照效应工艺参数
- 文献传递
- 面阵光电图像传感器辐射瞬态响应的模拟方法及模拟装置
- 本发明提供一种面阵光电图像传感器辐射瞬态响应的模拟方法及模拟装置，对射线或粒子辐射场环境下光电图像传感器辐射瞬态响应进行模拟，解决复杂辐射环境下面阵光电图像传感器辐射瞬态响应评估试验成本高、获取的有效数据少以及获取的数据...
- 薛院院王祖军陈伟刘敏波郭晓强姚志斌何宝平盛江坤马武英缑石龙
- 文献传递
- CCD质子辐照损伤效应的三维蒙特卡罗模拟被引量：4
- 2018年
- 针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究。采用三维蒙特卡罗软件Geant4模拟计算了不同能量质子在Si和SiO_2中的射程及Bragg峰,分析了不同能量质子在材料中能量沉积的过程,并将模拟结果与相关数据进行对比,模拟误差在5%以内。根据质子与材料相互作用的物理过程,选取了合适的Lindhard分离函数,添加合适的物理过程,模拟计算了不同能量质子在SiO_2中的电离能量损失和Si中的非电离能量损失,并将结果与国外相关数据进行对比。根据CCD的生产工艺参数,建立了单个像元的三维模拟模型,确定了质子辐照损伤的灵敏体积,模拟计算了不同能量质子在像元灵敏体积内的电离能量沉积与非电离能量沉积,分析了CCD不同能量质子的辐照损伤差异产生的机理。结合粒子输运计算结果与CCD质子辐照实验结果,分析了质子辐照诱发CCD辐射敏感参数退化的物理机制。
- 薛院院王祖军刘静何宝平姚志斌刘敏波盛江坤马武英董观涛金军山
- 关键词：质子GEANT4
- CIS辐照后像素单元电荷转移效率的测试系统及方法
- 本发明提出了一种CIS辐照后像素单元电荷转移效率的测试系统及方法，该方法能够对辐照后CMOS图像传感器单个特定像素单元的电荷转移效率进行测量，为辐照后CMOS图像传感器像素单元电荷转移损伤评估提供技术支撑。该测试系统包括...
- 薛院院王祖军陈伟刘敏波姚志斌何宝平盛江坤马武英缑石龙
- 双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应
- 2024年
- 本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁.
- 李洋帆郭红霞张鸿白如雪张凤祁马武英钟向丽李济芳卢小杰
- 关键词：重离子辐照单粒子烧毁
- 静态随机存储器总剂量辐射损伤的在线与离线测试方法被引量：2
- 2014年
- 以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结果表明:由于静态随机存储器存在多种总剂量失效模式,相对于在线测试只能覆盖存储单元固定错误的一种失效模式,离线测试可覆盖多种功能失效模式;由于信号完整性对测试频率的限制,使得在线测试得到的动态功耗电流值要明显小于离线测试得到的动态功耗电流值;由于"印记效应"的存在,在线测试静态功耗电流小于离线测试中器件存储与辐照相反数据时的静态功耗电流值;在线无法测量的一些电参数,有可能先于在线可测参数而失效,这些研究结果对于静态随机存储器在星用辐射环境下的总剂量辐射损伤规律的研究和实验评估具有重要意义。
- 丛忠超余学峰崔江维郑齐文郭旗孙静汪波马武英玛丽娅周航
- 关键词：静态随机存储器
