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孙伟

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 9篇MEMS器件
  • 5篇芯片
  • 5篇灵敏度
  • 5篇敏度
  • 5篇结构层
  • 5篇空腔
  • 5篇衬底
  • 4篇电极
  • 4篇氧化硅
  • 4篇刻蚀
  • 4篇感器
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 3篇电化学腐蚀
  • 3篇堆叠
  • 3篇压电
  • 3篇压电层
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇网格
  • 3篇金属

机构

  • 19篇杭州士兰集成...
  • 10篇杭州士兰微电...

作者

  • 19篇孙伟
  • 9篇刘琛
  • 7篇季锋
  • 5篇陈雪平
  • 3篇孙福河

传媒

  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 3篇2016
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
红外传感器件及其制造方法
本申请公开了一种红外传感器件及其制造方法，该红外传感器件包括：衬底，用于制作红外传感器芯片；以及绝缘叠层结构，位于衬底上，作为复合红外吸收层吸收红外波，其中，绝缘叠层结构包括第一氮化硅层、第二氮化硅层以及位于第一氮化硅层...
孙伟闻永祥刘琛逯永建
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集成型磁开关及其制造方法
本发明提供了一种集成型磁开关及其制造方法，通过半导体工艺将磁电阻条制作于ASIC电路上，由此可以极大的减小所形成的集成型磁开关的体积。进一步的，采用剥离工艺形成第一金属层，从而有效地避开了连接孔刻蚀、连接金属淀积前的溅射...
陈雪平闻永祥刘琛孙伟
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MEMS器件
本申请公开了一种MEMS器件。该MEMS器件包括：包括CMOS电路与MEMS模块，MEMS模块位于CMOS电路上，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，CMOS电路包括衬底与位于衬底上的第一晶体管，MEM...
孙伟闻永祥刘琛葛俊山马志坚
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红外传感器件
本申请公开了一种红外传感器件，该红外传感器件包括：衬底，用于制作红外传感器芯片；以及绝缘叠层结构，位于衬底上，作为复合红外吸收层吸收红外波，其中，绝缘叠层结构包括第一氮化硅层、第二氮化硅层以及位于第一氮化硅层与第二氮化硅...
孙伟闻永祥刘琛逯永建
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MEMS器件及其制造方法
本申请公开了MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述MEMS传感器包括在衬底上形成的空腔以及位于空腔上的结构层；以及位于MEMS传感器上的晶体管，其中，所述晶体管的至少一部分...
孙伟闻永祥季锋刘琛
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多孔硅腐蚀制造空腔薄膜方法
2019年
本文介绍了在具有N-网格结构的单晶硅上通过电化学腐蚀的方法,将硅片部分区域转化成多孔硅,通过常规单晶硅外延工艺,使多孔硅所在区域形成外延单晶硅下的空腔结构。该制造方法除电化学腐蚀工艺外,完全与CMOS工艺方法兼容,具有成本低,良率高,膜厚均匀等优势,是一种较为理想的空腔薄膜制作方法。
季锋刘琛孙伟闻永祥邹光祎
关键词：TMAH
MEMS器件
本申请公开了MEMS器件。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述MEMS传感器包括在衬底上形成的空腔以及位于空腔上的结构层；以及位于MEMS传感器上的晶体管，其中，所述晶体管的至少一部分形成在所述M...
孙伟闻永祥季锋刘琛
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MEMS器件及其制造方法
本申请公开了MEMS器件及其制造方法。所述MEMS器件包括：衬底；位于衬底上的MEMS传感器，所述MEMS传感器包括在衬底上形成的空腔以及位于空腔上的结构层；以及位于MEMS传感器上的晶体管，其中，所述晶体管的至少一部分...
孙伟闻永祥季锋刘琛
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MEMS器件
本申请公开了一种MEMS器件。该MEMS器件包括：CMOS电路；以及MEMS模块，位于CMOS电路上，CMOS电路与MEMS模块连接，用于驱动MEMS模块，其中，MEMS模块包括：保护层，位于CMOS电路上；空腔，位于保...
孙伟闻永祥刘琛葛俊山马志坚
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地磁传感器件及其制造方法
本申请公开了一种地磁传感器件及其制造方法，该地磁传感器件包括：CMOS电路；以及传感器，位于在CMOS电路上，CMOS电路与传感器连接，用于驱动传感器和处理传感器产生的检测信号，其中，传感器包括：结构层；依次在结构层上形...
孙伟刘琛高周妙罗燕飞闻永祥
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