您的位置： 专家智库 > >

冯玉林

作品数：1 被引量：27H指数：1
供职机构：天津理工大学电子信息工程学院更多>>
发文基金：天津市科技计划天津市高等学校科技发展基金计划项目教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程

主题

  • 1篇电子器件
  • 1篇硫化
  • 1篇硫化钼
  • 1篇二硫化钼

机构

  • 1篇天津理工大学

作者

  • 1篇王芳
  • 1篇张楷亮
  • 1篇韩叶梅
  • 1篇苗银萍
  • 1篇冯玉林

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
层状二硫化钼研究进展被引量：27
2016年
近年来,层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点.本文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质;介绍了制备方法,包括生长制备和剥离制备.生长制备的原料包括四硫代钼酸铵((NH4)_2MoS_4)、钼(Mo)和三氧化钼(MoO_3)等.剥离制备包括微机械剥离、液相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等.归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面的应用,展望了层状二硫化钼的研究前景.
顾品超张楷亮冯玉林王芳苗银萍韩叶梅张韩霞
关键词：电子器件
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0