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邓永辉

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学电气工程学院更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇碳化硅器件
  • 2篇温度特性
  • 2篇静态特性
  • 2篇开关特性
  • 2篇硅器件
  • 1篇电力
  • 1篇电力电子
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇电流增益
  • 1篇增益
  • 1篇漂移区
  • 1篇击穿电压
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇BJT

机构

  • 3篇浙江大学

作者

  • 3篇盛况
  • 3篇邓永辉
  • 2篇郭清
  • 2篇蔡超峰
  • 2篇陈敏
  • 2篇周伟成
  • 1篇谢刚

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
新型碳化硅电力电子器件的测试与对比研究
对新型材料器件——碳化硅MOSFET、碳化硅JFET、碳化硅BJT进行了静态和动态的测试，并和相同电压电流等级的硅材料器件(Si IGBT、Si MOSFET、CooIMos)做了对比分析、同时也在碳化硅器件之间做了一...
周伟成蔡超峰邓永辉陈敏郭清盛况
关键词：碳化硅器件静态特性温度特性开关特性电力电子技术
提高4H-SiC横向BJT电流增益的新思路
2013年
为了获得4H-SiC横向BJT器件高耐压下的高电流增益,文中通过降低漂移区的掺杂浓度(NDRI),使得漂移区内靠近基极方向的电场强度降低,从而使集-基结在基区的耗尽大幅减小。通过对基区的优化,就可以在高耐压下获得高电流增益。仿真结果表明,当漂移区内的掺杂浓度(NDRI)为3.3 1016cm-3时,4H-SiC横向BJT器件可以在保持较高耐压(3 000 V以上)的同时,集-基结在基区的耗尽最少。当基区掺杂浓度(PB)为3 1017cm-3、厚度(WB)为0.25 mm时,获得耐压高于3 000 V、电流增益近400的4H-SiC横向BJT器件。
邓永辉盛况谢刚
关键词：4H-SIC电流增益击穿电压漂移区
新型碳化硅电力电子器件的测试与对比研究
本文对新型材料器件——碳化硅MOSFET、碳化硅JFET、碳化硅BJT进行了静态和动态的测试,并和相同电压电流等级的硅材料器件(Si IGBT、Si MOSFET、Cool Mos)做了对比分析、同时也在碳化硅器件之间做...
周伟成蔡超峰邓永辉陈敏郭清盛况
关键词：碳化硅器件静态特性温度特性开关特性
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