蔡勇
- 作品数：3 被引量：9H指数：1
- 供职机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 覆盖银纳米线层硅基MEMS过滤芯片
- 2019年
- 通过在悬栅状微结构支架上涂覆银纳米线,制备出亚微米级孔径的微电子机械系统(MEMS)过滤芯片,并研究了该芯片的颗粒过滤性能以及相关影响因素。利用感应耦合等离子体(ICP)深硅刻蚀工艺,在二氧化硅片上双面刻蚀形成悬栅状结构。随后,利用分散液中银纳米线的均匀分布性和高比表面积,将高长径比的银纳米线均匀地涂覆到此结构的亲水性二氧化硅层上。干燥后,在重力及液体挥发作用下银纳米线和支架层紧密贴合,制成覆盖银纳米线过滤层的硅基MEMS过滤芯片。与硅基支架结构相比,覆盖较低质量浓度银纳米线的芯片对PM10-2.5的过滤效率提高了2.5倍,达到73.79%,压差仅增加了30 Pa(空气流速为0.33 m/s)。当芯片覆盖有较高质量浓度的银纳米线时,PM2.5过滤效率达到86.63%;PM10-2.5过滤效率上升到96.67%。在相同测试条件下,过滤芯片压差增加到1 200 Pa。
- 李书明李书明齐萨仁杨国勇蔡勇
- 关键词：二氧化硅银纳米线
- 晶圆级LED驱动电路系统
- D是恒流工作的器件,并且随着LED功率的不断增加,散热问题变得越加突出,温度的控制是十分必要.当LED功率比较小时,可以用温度传感器来检测它的温度并加以控制;而当LED做到晶圆级(Wafer-Level light em...
- 徐飞蔡勇时广轶张亦斌徐建伟
- 关键词：发光二极管恒定电流温度监控
- 基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计被引量：9
- 2019年
- 基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器。采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率。使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50Ω负载阻抗的匹配。测试结果显示,在3.3～3.8 GHz频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40 dBm,漏极效率75%～79%,增益11.5～12.3 dB。
- 程知群张志维刘国华刘国华孙昊
- 关键词：HEMT谐波控制
