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钱鹏翔

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇致密
  • 2篇素坯
  • 2篇碳化硼
  • 2篇碳前驱体
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷材料
  • 2篇前驱体
  • 2篇复相
  • 2篇复相陶瓷
  • 2篇复相陶瓷材料
  • 1篇氧化铝
  • 1篇荷电
  • 1篇荷电效应
  • 1篇AL2O3
  • 1篇ESEM

机构

  • 3篇中国科学院
  • 1篇北京工业大学

作者

  • 3篇钱鹏翔
  • 2篇顾辉
  • 2篇张兆泉
  • 2篇董满江
  • 1篇付景永
  • 1篇王丽
  • 1篇吉元
  • 1篇张隐奇
  • 1篇徐学东

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种高致密碳化硼复相陶瓷材料的制备方法
一种高致密碳化硼复相陶瓷材料的制备方法，所述方法包括：1）配制均匀混合的原料粉末，原料粉末包含碳化硼粉、过渡金属硼化物粉体、过渡金属氧化物粉体，以及碳和/或碳前驱体物质；2）采用步骤1）制备的原料粉末制成碳化硼复相陶瓷材...
张兆泉董满江钱鹏翔顾辉
文献传递
氧化铝的加热荷电补偿研究被引量：1
2007年
在环境扫描电镜（ESEM）中配置加热台，对Al2O3样品进行加热实验。结果表明，Al2O3表面的荷电效应随温度的稳定升高而逐渐减小。当温度上升至～360℃时，荷电效应完全消除，得到清晰的二次电子（SE）像。在加热过程中，Al2O3样品的吸收电流（Iα）值不断提高，在～360℃时达到2．67×10^-7A。这个值相当于Al样品台的乇值，表明加热可增加Al2O3表面的导电率。此外，在高真空环境中通过加热消除荷电后，得到的Al2O3样品的SE像衬度优于通常在低真空环境中通过电子-离子中和作用得到的图像衬度。
王丽付景永吉元张隐奇徐学东钱鹏翔
关键词：荷电效应AL2O3
一种高致密碳化硼复相陶瓷材料的制备方法
一种高致密碳化硼复相陶瓷材料的制备方法，所述方法包括：1）配制均匀混合的原料粉末，原料粉末包含碳化硼粉、过渡金属硼化物粉体、过渡金属氧化物粉体，以及碳和/或碳前驱体物质；2）采用步骤1）制备的原料粉末制成碳化硼复相陶瓷材...
张兆泉董满江钱鹏翔顾辉
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