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余梅

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：华微电子系统有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇电路
  • 2篇电路技术
  • 2篇集成电路
  • 2篇集成电路技术
  • 1篇待机
  • 1篇优化设计
  • 1篇输出端
  • 1篇输入端
  • 1篇资源利用率
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇功耗
  • 1篇公共
  • 1篇SRAM
  • 1篇触发器

机构

  • 2篇华微电子系统...

作者

  • 2篇李文昌
  • 2篇余梅
  • 1篇丛伟林
  • 1篇侯伶俐
  • 1篇黄国辉
  • 1篇李平
  • 1篇杨嵩
  • 1篇杨志明
  • 1篇周小蓉

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一种CLB结构及CLB优化方法
一种CLB结构及CLB优化方法，涉及集成电路技术。本发明由3个2输入LUT组成，其中第一LUT和第二LUT的输出端接第三LUT的两个输入端，第三LUT的输出端作为CLB的输出端，第一LUT和第二LUT的输入端接逻辑信号。...
李文昌丛伟林杨嵩余梅侯伶俐
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低泄漏功耗SRAM存储单元结构
低泄漏功耗SRAM存储单元结构，涉及集成电路技术。本发明包括由MOS管构成的存储单元，其特征在于，在存储单元的公共源极SN连接有电压偏置电路，所述电压偏置电路用于在读写时将SN接地，在待机时提高SN电压。本发明的有益效果...
李平杨志明李文昌黄国辉周小蓉余梅
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