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大尺寸二维氧化镓的制备及性能研究: 2024年; 二维宽禁带材料在制作下一代新型电子器件上能发挥重要作用,宽禁带的氧化镓晶体具有非层状结构,难以通过机械剥离等传统方法制成二维材料,二维超薄氧化镓的制备和性能研究很有限。本文利用挤压液态金属镓的方法成功制成大尺寸超薄氧化镓膜,膜的横向尺寸在厘米量级,厚度在~5.6 nm。选用适当大小的液态金属镓能改善二维氧化镓膜的均匀性和边缘规则性,通过按压多个液态金属镓滴可以实现更大面积二维氧化镓膜的制备。通过透射电镜和拉曼光谱检测结果可以确认制备的材料是非晶的Ga_(2)O_(3)膜。电学检测结果说明通过超声清洗可以去除二维氧化镓表面残留金属镓,实现提高材料绝缘性能的目的,这也说明制备的二维氧化镓在光传感器和需要绝缘材料的电学器件中能发挥重要作用。; 赵晓辉艾则麦提江·阿力木江武素梅温阳高航张广硕李梦阳梁瑶; 关键词：电学性能

碳纤维复合材料一体化成型及其在无人机领域的应用被引量：7: 2021年; 文章介绍了一种新型的碳纤维复合材料的一体化成型技术,采用弹性内模具和不锈钢外模具结合的真空内压方法,得到的机翼可以应用在无人机等领域,对比传统的模压法等工艺有明显优势。一体成型技术采用一体化成型工艺一次成型,克服了传统的碳纤维机翼多次拼接工艺导致接缝处结合不够紧密,材料厚度分布不均匀的缺陷,得到的碳纤维复合材料表面均匀性好、平整度高,无明显的气泡和孔隙,整体的拉伸性能有明显的提高。; 刘向徐维梁瑶张志华武素梅; 关键词：碳纤维复合材料无人机

GaSe/MoS_(2)垂直范德瓦尔斯异质结构光电探测器性能研究: 2022年; 近年来,光电探测器被广泛地应用在成像、传感、光通信、生物技术等领域,人们迫切希望能通过简单的制备方法获得高性能低能耗的光电探测器。本文通过机械剥离的方法制备二维GaSe、MoS_(2)和石墨烯,再通过定向转移的方法实现Au电极/GaSe/MoS_(2)/石墨烯堆叠,成功获得了GaSe/MoS_(2)垂直范德瓦尔斯异质结构光电探测器。在外加电压为2 V时,该光电探测器对450 nm光的响应度为351 mA/W,探测灵敏度为1.18×10^(9)Jones,外量子效率为97%。受GaSe禁带宽度的影响,器件仅对波长小于620 nm的光具有较高的响应度。在外加电压为0 V时,该光电探测器也具有重复探测450 nm光的能力,且响应速度较快,响应时间和恢复时间分别为0.36 s和0.24 s。该光电探测器杰出的性能归功于II型垂直范德瓦尔斯异质结构的形成,表明该异质结构在高性能低功耗光电探测器制作上有巨大的应用潜力。; 侯骁洋唐晓秋张殿泽孙建华刘娆布威海丽且·阿卜拉梁瑶; 关键词：GASE 光电探测器

ZnO纳米线阵列生长参数及光学性质被引量：1: 2015年; 通过水热法在ITO玻璃上生长ZnO纳米线阵列.种晶制备温度影响纳米线的取向性,随着温度适当升高纳米线的取向性有所提高.乙酸锌溶液浓度、生长溶液浓度及循环生长次数可以调控纳米线的尺寸.所有XRD谱中,仅存在一个很强并尖锐的纤锌矿ZnO(002)晶面衍射峰,说明ZnO纳米线具有好的结晶质量及高度的取向性.在325nm激光照射下,ZnO纳米线阵列发出强的近紫外光(378nm),证明纳米线中缺陷较少.; 仇凌燕梁瑶王佳楠; 关键词：ZNO 纳米线阵列水热法光致发光

可控转移二维GaSe制备高性能光电探测器被引量：1: 2023年; 采用机械剥离法制备二维GaSe纳米材料。光致发光光谱和拉曼光谱证明二维GaSe具有直接带隙,禁带宽度约为2.0 eV,具有较好的结晶质量。通过可控转移技术将二维GaSe放置于两个金属电极上,制成结构简单的光电探测器。光电探测器拥有较快的响应速度(约300 ms)和较高的开关比(约32)。在450 nm波长光照射时,光电探测器的响应度可达144.6 mA/W,外量子效率为39.9%。光电探测器对300 nm紫外光展示了最高的响应能力,响应度为677.2 mA/W,外量子效率为271.2%。缩短两电极间距能有效提升光电探测器的响应度和开关比。上述结果说明,将二维GaSe可控转移到电极上制成光电探测器的工艺流程是可行的,适用于制作高性能二维材料基光电探测器。; 梁瑶徐基源温阳唐晓秋武素梅; 关键词：GASE 光电探测器

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梁瑶