宋云菲
- 作品数：4 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院西安光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 808nm高功率半导体激光芯片研究
- 高功率半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换效率高、高可靠性等优点,808 nm高功率半导体激光器是固体激光器(Nd：YAG)最理想的抽运源,广泛应用于工业加工、医疗美容、航空航天等领域,开展高功率半导体激光芯片自主研...
- 宋云菲王贞福李特杨国文
- 关键词：半导体激光器芯片高功率
- 808nm半导体激光芯片电光转换效率的温度特性机理研究被引量：15
- 2017年
- 提高808 nm大功率半导体激光器电光转换效率具有重要的学术意义和商业价值,是实现器件小型化、轻量化、高可靠性的必要前提.本文以腔长1.5 mm的传导冷却封装808 nm半导体激光阵列为研究对象,在热沉温度-40—25?C范围内对其进行光电特性测试,对不同温度下电光转换效率的影响因子进行了实验研究和理论分析.结果表明:在-40?C环境温度下,最高电光转换效率从室温25?C时的56.7%提高至66.8%,内量子效率高达96.3%,载流子泄漏损耗的占比贡献由16.6%下降至3.1%.该研究对实现808 nm高效率半导体激光芯片的自主研发具有重要意义.
- 宋云菲王贞福李特杨国文
- 关键词：电光转换效率温度
- 808nm准连续600W高功率半导体激光芯片研制被引量：5
- 2017年
- 通过设计极低损耗808nm半导体激光芯片外延结构,实现腔内损耗小于0.5cm^(-1)。采用该高效率外延结构研制出高峰值功率808nm巴条芯片,巴条的填充因子为85%,包含60个发光点,发光区宽度为140μm,腔长为2mm。在驱动电流为500A,脉冲宽度为200μs,重复频率为400 Hz,占空比为8%的工作条件下,该芯片的准连续(QCW)峰值输出功率为613 W,斜率效率达1.34 W/A,峰值波长为807.46nm,光谱半峰全宽为2.88nm。任意选取5只芯片,在准连续300 W(占空比8%)条件下进行了寿命验证,芯片寿命达到3.63×109 shot,定功率300W下电流变化小于10%,达到商业化水平。
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- 关键词：激光光学峰值功率光损耗
- 高功率、高效率808nm半导体激光器阵列被引量：7
- 2016年
- 通过设计高效率808 nm非对称宽波导外延结构,减少P型波导层和包层的自由载流子光吸收,实现腔内光吸收损耗为0.63 cm^(-1).制备的808 nm半导体激光器阵列在室温25?C下,实现驱动电流135 A,工作电压1.76 V,连续输出功率大于150 W,斜率效率高达1.25 W/A,中心波长809.3 nm,器件最高电光转换效率为65.5%,这是目前国内报道的808 nm半导体激光器阵列的最高电光转换效率,达到国际同类器件最好水平.
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- 关键词：半导体激光器阵列电光转换效率
