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张涛

作品数:53 被引量:0H指数:0
供职机构:江西赛维LDK太阳能高科技有限公司更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术电气工程更多>>

文献类型

  • 45篇专利
  • 7篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇理学

主题

  • 21篇多晶
  • 18篇硅片
  • 17篇多晶硅
  • 17篇
  • 15篇坩埚
  • 13篇位错
  • 11篇多晶硅片
  • 10篇铸锭
  • 9篇单晶
  • 9篇体硅
  • 9篇晶体硅
  • 9篇硅粉
  • 8篇晶体
  • 7篇熔融
  • 7篇太阳能
  • 7篇硅晶
  • 7篇硅晶体
  • 6篇氮化
  • 6篇氮化硅
  • 6篇籽晶

机构

  • 53篇江西赛维LD...

作者

  • 53篇张涛
  • 38篇胡动力
  • 21篇何亮
  • 20篇万跃鹏
  • 16篇雷琦
  • 8篇陈红荣
  • 5篇李松林
  • 5篇陈旭光
  • 4篇邹军
  • 4篇丁俊
  • 3篇王人松
  • 3篇刘俊
  • 2篇毛伟
  • 2篇王平军
  • 2篇吕东
  • 2篇张军彦
  • 2篇黄雪雯
  • 1篇章金兵
  • 1篇简晖
  • 1篇郭栋

传媒

  • 1篇第十一届中国...

年份

  • 3篇2017
  • 3篇2016
  • 9篇2015
  • 4篇2014
  • 5篇2013
  • 11篇2012
  • 7篇2011
  • 6篇2010
  • 5篇2009
53 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法,该制备方法包括在坩埚内壁涂上氮化硅层后,在坩埚内从下至上填装硅料;加热使坩埚内硅料熔化形成硅熔体,当硅熔体与未熔化的硅料所形成的固液界面接近坩埚底面时,调节热场形成过冷状态,使硅熔体在...
何亮胡动力张涛雷琦万跃鹏
文献传递
一种低碳含量的多晶硅锭以及制备方法
本发明涉及一种多晶硅锭,特别是一种低碳含量的多晶硅锭,还涉及了一种低碳含量的多晶硅锭的制备方法,该多晶硅锭的碳含量杂质按含量分布在高含量区域和低含量区域,其中高含量区域的碳杂质含量高于2×10<Sup>17</Sup>个...
万跃鹏张涛肖贵云
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填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用
本发明涉及一种填装性能良好的原料硅块在单晶炉或多晶炉中的应用,具体方法是将硅粉冷等静压或热等静压成填装性能良好的原料硅块后,放入单晶炉或多晶炉中,用于硅晶体生长的初始原料;本发明涉及的该原料硅块的抗压参数为0.1-50M...
张涛万跃鹏钟德京
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一种组合式坩埚
本发明涉及太阳能光伏领域的一种多晶硅铸锭用装置,特别涉及一种组合式坩埚;本发明提出了一种组合式坩埚,能够很好的解决现有的硅液漏流的技术问题;一种组合式坩埚,包括侧壁与底板,其中:底板上设置有槽,底板上的槽与侧壁底部的榫采...
胡动力张涛陈红荣丁俊
DSS炉二次加料装置的试制
万跃鹏陈旭光李松林张涛肖贵云
该项目是采用二次加料装置,在硅料熔化后加入新硅料。采用该装置可以减少对坩埚装料容积度的要求,降低成本,提高材料利用率。国外在单晶硅铸锭炉加料装置有过报道,现有的相应技术也相对成熟,但在多晶硅铸锭炉的连续加料情况还没有发现...
填装性能良好的原料硅块及其制备方法的研究
张涛万跃鹏钟德京陈旭光李松林肖贵云王人松
该项目是江西省科技支撑计划指导性项目。目前作为流化床等工艺中产物的极其细小的硅粉很难在晶体生长等领域获得应用,这主要有以下几个原因:(1)细粉料容易飞扬,不仅损坏设备元件,影响工艺和产品的稳定性,甚至会造成严重的安全事故...
一种硅片切割装置
本实用新型提供了一种硅片切割装置,包括切割室和砂浆缸,所述切割室与所述砂浆缸通过管道连接。本实用新型提供的硅片切割装置不包括现有技术常用的回流缸系统,通过将所述切割室与所述砂浆缸直接连接,避免了回流缸系统的各项报警,减少...
王平军张涛郭栋檀玉斌
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一种单晶硅铸锭的装料方法及单晶硅铸锭方法
本发明公开了一种单晶硅铸锭的装料方法,该方法包括:在坩埚底面上放置多个籽晶;在所述籽晶与籽晶之间和籽晶与坩埚壁之间的空隙中填充熔点不低于硅的一种或多种填充物;在所述籽晶的表面放置用于铸锭的硅原料。本发明还公开了一种单晶硅...
胡动力何亮钟德京张涛
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一种多晶硅铸锭炉热场及多晶硅铸锭炉
本发明实施例公开了一种多晶硅铸锭炉热场,包括保温隔热笼体,保温隔热顶板,保温隔热底板,带坩埚的热交换台和加热器,保温隔热顶板设置有进气孔和出气孔,多晶硅铸锭炉热场还包括设置在坩埚顶部的用于遮盖坩埚的遮挡盖板,遮挡盖板上设...
胡动力张涛
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一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片
本发明公开了一种多晶硅锭的制备方法,包括以下步骤:(1)在坩埚内填装硅料后,加热使所述硅料熔化形成硅液,调整热场,达到过冷状态,使硅液在所述坩埚上进行形核结晶,该形核结晶过程为第一结晶阶段;(2)待长出目标高度晶体后,向...
钟德京万跃鹏张涛胡动力傅志斌简晖高建廷邹军陈志强
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共6页<123456>
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