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邓伟伟

作品数：36 被引量：0H指数：0
供职机构：常州天合光能有限公司更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 34篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 6篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 31篇电池
  • 18篇晶体硅
  • 15篇太阳能
  • 15篇太阳能电池
  • 15篇硅片
  • 14篇太阳电池
  • 11篇钝化
  • 10篇体硅
  • 8篇氮化硅
  • 8篇硅太阳能电池
  • 7篇电阻
  • 7篇晶体硅太阳电...
  • 7篇晶体硅太阳能...
  • 7篇硅片表面
  • 7篇硅太阳电池
  • 6篇发射结
  • 5篇电极
  • 5篇电流
  • 5篇硅薄膜
  • 4篇填充因子

机构

  • 36篇常州天合光能...

作者

  • 36篇邓伟伟
  • 8篇冯志强
  • 7篇杨阳
  • 7篇陈奕峰
  • 5篇陈达明
  • 5篇刘亚锋
  • 4篇王书博
  • 3篇袁声召
  • 3篇郭万武
  • 3篇张学玲
  • 3篇张舒
  • 3篇谢燕
  • 2篇刘亚峰
  • 2篇祁宏山
  • 2篇包健
  • 2篇王子港
  • 2篇刘斌辉
  • 2篇熊震
  • 2篇金浩
  • 2篇崔艳峰

传媒

  • 1篇第十届中国太...
  • 1篇第十届中国太...

年份

  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 7篇2011
  • 6篇2009
  • 2篇2008
共 36 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法
本发明涉及硅太阳能电池的技术领域，尤其是一种具有背面钝化的选择性发射结硅太阳能电池的制备方法：将硅片进行清洗制绒；采用热氧化的方法在硅片表面生长一层二氧化硅的薄膜；用腐蚀性浆料对硅片进行腐蚀，将硅片腐蚀出正电极后进行选择...
邓伟伟
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晶体硅太阳能电池交替式金属前电极及其制备方法
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池交替式金属前电极及其制备方法，该晶体硅太阳能电池交替式金属前电极包括多列主栅和多行细栅，细栅与主栅相连接，每行细栅包括呈分布式交替设置的多个连接非银电极和多个局域银电极；其中，局域银电极贯...
陈奕峰邓伟伟陈达明崔艳峰王子港刘斌辉皮尔·雅各·威灵顿冯志强
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晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法
本发明涉及晶体硅太阳能电池的生产方法，特别是一种晶体硅太阳能电池的选择性一次扩散方法。这种方法首先是将磷浆按照一定间隔选择印刷在晶体硅片表面，烘干磷浆，扩散，去磷硅玻璃。按照上述方法可以方便地得到太阳能电池选择性发射极结...
汪钉崇邓伟伟
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采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池
本实用新型涉及晶体硅太阳能电池技术领域，特别是一种采用选择性一次扩散工艺的太阳能电池。包括硅片，硅片上划分为需要进行低掺杂的低掺杂区和需要进行高掺杂高掺杂区，在硅片的低掺杂区上覆盖有磷不可渗透浆料或膜。本太阳电池加工简单...
汪钉崇邓伟伟
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一种晶体硅太阳电池主栅结构
本实用新型涉及硅太阳电池栅线技术领域，特别是一种晶体硅太阳电池主栅结构，本方案通过仅在电池IV测试的测试探针接触点附近印刷银浆，在电池片上形成1条或多条中部镂空的主栅线。在电池IV测试时，由于每条主栅线通常有6到8个触点...
杨阳邓伟伟冯志强黄强
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一种太阳能电池浮动结背面钝化结构及其方法
本发明涉及太阳能电池钝化技术领域，特别是一种太阳能电池浮动结背面钝化的方法。P型晶体硅电池的传统背面钝化路线是使用二氧化硅或氮化硅作为背面的钝化层，但是在背面空穴是少子，而所增加的钝化层所带的电荷为正电，阻止了空穴向背面...
邓伟伟冯志强
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晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构
本发明涉及本发明涉及一种晶体硅太阳电池背钝化工艺及其结构，首先在P型硅片背面使用氮化硅做掩模，在掩膜上开孔，之后进行B扩散，在开孔的地方形成重掺杂，清洗掉氮化硅掩膜之后沉积氧化铝和氮化硅的叠层膜，然后在电池背面开出背点接...
王书博邓伟伟
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一种背面钝化的太阳能电池的生产方法
本发明涉及一种背面钝化的太阳能电池的生产方法。它具有如下步骤：清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散，去正面二氧化硅保留背面二氧化硅、去磷硅玻璃及刻边、印刷正负电极以及烧结和电性能测试；或者清洗制绒、生长二氧化硅、选择性扩散...
邓伟伟刘亚锋
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一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法
本发明涉及一种新结构晶体硅太阳电池及其制备方法，包括N-Type硅片本体，N-Type硅片本体的上、下表层分别具有B掺杂区组，相邻B掺杂区之间分别刻蚀有隔离槽，N-Type硅片本体的上、下表层上分别镀有氧化铝层，氧化铝层...
王书博邓伟伟杨阳
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印刷磷源单步扩散法制作选择性发射结太阳电池工艺
本发明涉及印刷磷源单步扩散法制作选择性发射结太阳电池工艺，将硅片清洗制绒之后进行丝网印刷含磷的纳米Si浆料，在200～350℃下烘干20分钟，脱除溶剂后，得到的含磷的氧化层的厚度为30～100纳米；扩散前实施BOE和SC...
冯志强邓伟伟
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