程锦
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京理工大学光电学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiN_x/SiO_xN_y叠层结构防潮能力的研究
- 2019年
- 研究了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺参数对SiNx及SiOxNy防潮能力的影响,并测试了SiNx/SiOxNy叠层薄膜的水汽渗透速率(WVTR)。实验结果表明:单层SiNx薄膜和SiOxNy薄膜都存在临界厚度,当膜厚大于临界值时,继续增大厚度不会明显改善薄膜的WVTR。当沉积温度从50℃提高到250℃,SiNx薄膜的WVTR从0.031g/(m^2·day)降至0.010g/(m^2·day)。SiOxNy沉积时,增大N2O通入量对薄膜的WVTR影响不明显,但可以有效改善薄膜的弯曲性能。最后,4个SiNx/SiOxNy叠层膜的WVTR下降到了4.4×10^-4 g/(m^2·day)。叠层膜防潮能力的显著提升归因于叠层结构可以有效解耦层与层之间的缺陷,延长水汽渗透路径。
- 许海飞喻志农程锦栗旭阳陈永华李言薛建设
- 关键词：PECVDSINX叠层
- 退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响被引量：1
- 2016年
- 采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移,并且饱和迁移率和电流开关比增大.X射线光电子能谱测量表明,随退火温度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧减少,沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大.退火温度为380?C时,晶体管获得最佳性能.饱和迁移率随Ga含量的增加而减小.In:Ga:Zn摩尔比为5:1.3:2时,晶体管达到最佳性能:饱和迁移率为0.43 cm^2/(V·s),阈值电压为1.22 V,开关电流比为4.7×10~4,亚阈值摆幅为0.78 V/decade.
- 张世玉喻志农程锦吴德龙栗旭阳薛唯
- 关键词：INGAZNO薄膜晶体管溶液法热退火
