基于TCAD的SJ-IGBT特性设计与分析 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为电力电子领域中的一种典型开关器件,具有输入阻抗大、导通压降低、驱动功率小等优点,在开关电源、家用电器、轨道交通等领域发... 杨大力关键词:绝缘栅双极型晶体管 文献传递 基于FPGA和DDS的FSK调制系统的设计 2016年 引言数字信号处理是频率合成技术的理论基础,它能把一系列数字信号通过DAC数模转换器转换成模拟信号输出。频率合成技术也广泛应用于各种通信领域。目前常用的频率合成技术有锁相频率合成技术、直接频率合成技术,以及直接数字频率合成DDS(Direct Digital SynthesiZer)技术。随着数字技术的迅猛发展,许多应用领域不再仅仅满足于单一固定频率,而是需要一定频率范围内稳定度更高的灵活可调频率信号。 樊冬冬 杨大力 陈启武 于祥关键词:调制系统 频率合成技术 FSK DDS 直接数字频率合成 一种功率半导体器件 本发明主要涉及功率半导体器件领域,提出了一种功率半导体器件结构。本结构包括功率半导体器件有源区和结终端区;通过在有源区内部填充HK材料降低有源区导通电阻,达到降低功率器件功耗的目的,同时HK材料耐压能力优于硅,可以减小有... 汪志刚 杨大力 王亚南 王冰文献传递 一种电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管 被引量:1 2017年 提出了一种性能优良的电场调制载流子存储槽栅双极型晶体管(CSTBT)。结合电场调制原理,在器件的载流子存储(CS)层引入P掺杂条,改善器件栅极下方氧化硅拐角处的电场分布,防止器件提前发生雪崩击穿,提高了器件的击穿电压。器件处于关断状态时,内部大量的空穴载流子通过CS层中未完全耗尽的P掺杂条到达发射极,抑制了CS层阻挡空穴的作用,有效提高了器件的关断速度。与传统CSTBT器件相比,改进器件的击穿电压值提高了379V,关断时间缩短了19.1%,器件性能大幅提高。 杨大力 汪志刚 樊冬冬关键词:电场分布 击穿电压 关断时间 一种功率半导体器件 本发明主要涉及功率半导体器件领域,提出了一种功率半导体器件结构。本结构包括功率半导体器件有源区和结终端区;通过在有源区内部填充HK材料降低有源区导通电阻,达到降低功率器件功耗的目的,同时HK材料耐压能力优于硅,可以减小有... 汪志刚 杨大力 王亚南 王冰一种快速关断沟槽型SOI LDMOS器件 2017年 围绕降低沟槽型SOI LDMOS功率器件的优值,提出了一种新型多栅沟槽SOI LDMOS器件(MG-TMOS)。与常规沟槽型SOI LDMOS(C-TMOS)器件相比,新型MG-TMOS器件在不牺牲击穿电压的同时,降低了器件开关切换时充放电的栅漏电荷和器件的比导通电阻。这是因为:1)新型MG-TMOS器件沟槽里的保护栅将器件的栅漏电容转换为器件的栅源电容和漏源电容,大幅度降低了器件的栅漏电荷;2)保护栅偏置电压的存在使得器件导通时会在沟槽底部形成一层低阻积累层,从而降低器件的导通电阻。仿真结果表明:该新型沟槽型SOI LDMOS器件的优值从常规器件的503.4mΩ·nC下降到406.6mΩ·nC,实现了器件的快速关断。 樊冬冬 汪志刚 杨大力 陈向东关键词:LDMOS 比导通电阻 优值 一种高压异质结晶体管 本发明涉及半导体技术,特别是涉及一种高压异质结晶体管。该本发明在传统横向异质结晶体管器件结构的基础上,在器件外延层中部分区间掺杂N型结构以及在硅基衬底层中部分区间掺杂P型耗尽结构,该P型掺杂区以及N型掺杂区的引入使得衬底... 汪志刚 王冰 孙江 樊冬冬 杨大力 王亚南文献传递