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陈小荣

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：上海交通大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇电极
  • 4篇流层
  • 4篇功函数
  • 4篇RRAM
  • 3篇氧化法
  • 2篇整流
  • 2篇整流特性
  • 1篇电流
  • 1篇氧化钽
  • 1篇氧化铪
  • 1篇RESET
  • 1篇存储器
  • 1篇新结构

机构

  • 5篇上海交通大学

作者

  • 5篇陈小荣
  • 4篇冯洁
  • 4篇马海力

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置...
马海力冯洁陈小荣
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带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，...
马海力冯洁陈小荣
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具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种具有自整流特性的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层、势垒层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层与势垒层设置...
马海力冯洁陈小荣
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基于氧化钽和氧化铪阻变存储器的基础研究
目前，主流的不挥发存储器 Flash是基于“浮栅”中的电荷存储来实现信息的存储。“浮栅”的厚度接近物理极限，因为厚度太小难以实现存储电荷，但减小器件的尺寸是不挥发存储器的发展趋势;此外，Flash存在操作电压高、擦写速度...
陈小荣
关键词：氧化钽氧化铪
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带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法
本发明公开了一种带有自整流效应的RRAM存储单元结构及其制备方法，该RRAM存储单元结构包括衬底、下电极、阻变层、整流层以及上电极，所述下电极位于所述衬底之上，所述阻变层设置在所述下电极上，所述整流层设置在所述阻变层上，...
马海力冯洁陈小荣
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