您的位置: 专家智库 > >

熊韬

作品数:6 被引量:8H指数:2
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术电子电信机械工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇二氧化钒
  • 2篇气密
  • 2篇气密性
  • 2篇气密性封装
  • 2篇相变
  • 2篇膜系
  • 2篇开关时间
  • 2篇溅射
  • 2篇光开关
  • 2篇光刻
  • 2篇封装
  • 2篇封装测试
  • 2篇MEMS
  • 1篇氧化钒
  • 1篇微机电系统
  • 1篇消光
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束溅射
  • 1篇刻蚀
  • 1篇机电系统

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇熊韬
  • 5篇易新建
  • 5篇陈四海
  • 3篇陈明祥
  • 2篇李雄伟
  • 2篇周少波
  • 2篇王宏臣
  • 2篇黄光
  • 2篇柯才军
  • 1篇王双保

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇中国微米/纳...

年份

  • 1篇2005
  • 3篇2004
  • 2篇2003
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作
2003年
MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一 ,在封装设计中 ,如何测试封装的有效性就显得尤为重要。本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程。在其上进行气密性封装 ,则可通过对封装内的湿度测量来判断该封装的气密性能。在设计中 ,充分考虑了尺寸、工艺以及灵敏度等各方面要求。制作采用的是传统的光刻、刻蚀工艺。该湿度传感器结构简单 ,易于制作 。
熊韬易新建陈四海陈明祥周少波
关键词:MEMS气密性封装光刻刻蚀
VO<,2>薄膜材料制备及其性能测试
二氧化钒是一种具有特殊相变性能的功能材料.随着温度的变化,二氧化钒会发生从半导体态到金属态的可逆变化,同时,电阻率和光谱透射率等物理性质也发生突变,其相变点在68℃附近,接近室温.二氧化钒的应用非常广泛.目前主要用在热探...
熊韬
关键词:二氧化钒相变反应溅射
应用于MEMS气密性封装测试的微型湿度传感器的设计与制作
MEMS器件的封装一直是MEMS技术的难点之一,在封装设计中,如何测试封装的有效性就显得尤为重要.本文叙述了一种基于MEMS技术的微型湿度传感器的原理、设计以及工艺流程.在其上进行气密性封装,则可通过对封装内的湿度测量来...
熊韬易新建陈四海陈明祥周少波
关键词:微机电系统气密性封装封装测试封装设计
文献传递
一种微型二氧化钒光开关
本实用新型公开了一种微型二氧化钒光开关,包括衬底、VO<Sub>2</Sub>层和电极,衬底和VO<Sub>2</Sub>层之间设有Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>材料制成的过渡层,在VO<Sub>...
陈四海易新建王宏臣黄光熊韬陈明祥李雄伟柯才军
文献传递
新型VO_2相变薄膜的制备被引量:6
2004年
采用离子束溅射和退火工艺制备了一种新的相变型薄膜VO2。此种薄膜的方块电阻为120~148kΩ,电阻-温度关系曲线显示该薄膜的相变温度接近室温。SEM分析表明,所制备的薄膜致密均匀。样品的明场透射电子显微图像显示,制备的薄膜是多晶薄膜,晶粒尺寸达到纳米数量级。XRD分析表明,该薄膜的成分中除了含有VO2外,还含有V2O5,说明该工艺制备的是含有VO2的混合物,而不是纯VO2薄膜。
周少波王双保陈四海易新建熊韬
关键词:VO2薄膜相变离子束溅射
一种微型二氧化钒光开关及其制备方法
本发明公开了一种微型二氧化钒光开关,包括衬底、VO<Sub>2</Sub>层和电极,衬底和VO<Sub>2</Sub>层之间设有Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>材料制成的过渡层,在VO<Sub>2<...
陈四海易新建王宏臣黄光熊韬陈明祥李雄伟柯才军
文献传递
共1页<1>
聚类工具0