郑义
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市科技新星计划国家自然科学基金中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法
- 一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用注入法制备出NiO纳米晶，加入适量的正己烷，超声分散后充分搅拌得到稳定的墨水。然后采用提拉法制备NiO纳米晶电致变色薄膜。本发明配制的墨水比较稳定，可以用...
- 刘晶冰张欣郑义汪浩孙德龙张永哲严辉朱满康
- 文献传递
- 一种基于太阳能电池供电的直流电化学沉积系统
- 一种基于太阳能电池供电的直流电化学沉积系统，属于太阳能发电应用领域。包括太阳能电池单元、直流—直流变换单元、直流控制单元、直流电保护单元和直流电化学沉积单元；太阳能电池单元将太阳能转换成电能，提供整个系统的能量来源；直流...
- 严辉庞玮刘禹张永哲张林睿杨俊郑义
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- 硅薄膜太阳电池表面纳米线阵列光学设计被引量：1
- 2016年
- 陷光结构的优化是增加硅薄膜太阳电池光吸收进而提高其效率的关键技术之一.以硅纳米线阵列为代表的光子晶体微纳陷光结构具有突破传统陷光结构Yablonovith极限的巨大潜力.通常硅纳米线阵列可以用作太阳电池的增透减反层、轴向p-n结、径向p-n结.针对以上三种应用,本文运用有限时域差分(FDTD)法系统研究了硅纳米线阵列在300—1100 nm波段的光学特性.结果表明,当硅纳米线作为太阳电池的减反层时,周期P=300 nm,高度H=1.5μm,填充率(FR)为0.282条件下时,反射率最低为7.9%.当硅纳米线作为轴向p-n结电池时,P=500 nm,H=1.5μm,FR=0.55条件下纳米线阵列的吸收效率高达22.3%.硅纳米线作为径向p-n结电池时,其光吸收主要依靠纳米线,硅纳米线P=300 nm,H=6μm,FR=0.349条件下其吸收效率高达32.4%,进一步提高其高度吸收效率变化不再明显.此外,本文还分析了非周期性硅纳米线阵列的光学性质,与周期性硅纳米线阵列相比,直径随机分布和位置随机分布的硅纳米线阵列都可以使吸收效率进一步提高,相比于周期性硅纳米线阵列,优化后直径随机分布的硅纳米线阵列吸收效率提高了39%,吸收效率为27.8%.本文运用FDTD法对硅纳米线阵列的光学特性进行设计与优化,为硅纳米线阵列在太阳电池中的应用提供了理论支持.
- 耿超郑义张永哲严辉
- 关键词：光子晶体有限时域差分法太阳电池
- 一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法
- 一种NiO纳米晶电致变色薄膜的制备方法，属于功能材料技术领域。采用注入法制备出NiO纳米晶，加入适量的正己烷，超声分散后充分搅拌得到稳定的墨水。然后采用提拉法制备NiO纳米晶电致变色薄膜。本发明配制的墨水比较稳定，可以用...
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