孙云龙
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：复旦大学现代物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程更多>>
- In_2O_3/Si衬底上的YBa_2Cu_3O_(7-x)高温超导薄膜的特性研究
- 1993年
- 本文介绍用直流平面磁控溅射方法制备In_2O_3导电薄膜,以该导电薄膜为缓冲层,在硅衬底上沉积YBCO高温超导薄膜。用大直径平面磁控溅射,原位退火方法制备YBCO超导薄膜,用In_2O_3缓冲层来减少YBCO薄膜和Si衬底之间的相互扩散。所制得的YBCO高温超导薄膜的零电阻温度为81K,转变温度为98K,用X光衍射(XRD)方法来分析其微结构,结果表明其微观结构是C轴择优取向。用俄歇微探针(AES)来研究YBCO和In_2O_3、In_2O_3和Si之间的相互扩散情况,结果表明In_2O_3导电缓冲层基本上阻挡住YBCO和Si之间的相互扩散。
- 曾有义章壮健罗维昂蔡一民沈孝良孙云龙秦关鸿杨新菊罗维昂
- 关键词：超导体YBCO
- 成膜参量对“S”枪溅射制备的YBCO高温超导薄膜性能的影响
- 1992年
- 利用“S”枪磁控油射源,采用单靶磁控溅射原位退火技术,详细研究了YBCO(YBaCuO的简缩)高温超导薄膜质量与主要工艺参数之间的关系。XRD分析表明,典型条件制备的膜具有C轴择优取向织构,RBS分析表明,此时的膜具有基本上1:2:3的理想组份。
- 杨宁平章壮健罗维昂孙云龙秦关鸿承焕生沈孝良
- 关键词：超导体YBCO溅射
- 过渡金属氮化物防扩散阻挡薄膜研究
- 1993年
- 用“S”枪磁控反应溅射制备TiN、ZrN和三元化合物(Ti、Zr)N薄膜。这些薄膜的电阻率在40～190μΩ·cm范围。它们与n^+型硅的接触电阻在10^(-3)～10^(-6)Ω·cm^2量级;与P型硅的接触电阻为10^(-3)Ω·cm^2量级。与n型硅形成的肖特基势垒高度为0.39V。TEM分析显示三种氮化物薄膜均为多晶结构。RBS、SAM和XRD的分析都表明TiN和ZrN薄膜作为防止铝/硅互扩散阻挡层所能承受的最高温度是600℃,(Ti、Zr)N为550℃。
- 薛云龙罗维昂章壮健沈孝良曾有义孙云龙秦关鸿
- 关键词：阻挡层氮化物
