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方冬

作品数：52 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇文化科学

主题

  • 16篇半导体
  • 12篇漂移区
  • 12篇结终端
  • 12篇击穿电压
  • 11篇电阻
  • 10篇氧化层
  • 9篇元胞
  • 8篇曲率
  • 8篇接触区
  • 8篇击穿
  • 8篇功率器件
  • 8篇衬底
  • 7篇导电类型
  • 7篇导通
  • 7篇导通电阻
  • 7篇半导体技术
  • 7篇比导通电阻
  • 6篇栅电极
  • 6篇金属阴极
  • 6篇扩散

机构

  • 52篇电子科技大学

作者

  • 52篇方冬
  • 51篇乔明
  • 51篇张波
  • 14篇李路
  • 12篇于亮亮
  • 8篇代刚
  • 8篇王裕如
  • 8篇张晓菲
  • 6篇章文通
  • 6篇李成州
  • 5篇钟涛
  • 4篇杨文
  • 4篇陈勇
  • 4篇李珂
  • 4篇王卓
  • 4篇何逸涛

年份

  • 1篇2024
  • 6篇2023
  • 2篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 8篇2019
  • 6篇2018
  • 8篇2017
  • 10篇2016
  • 4篇2015
共 52 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双向导通槽栅功率MOS器件结构及制造方法
本发明提供一种双向导通槽栅功率MOS器件结构及其制造方法，在硅片表面形成栅极、源极和漏极，实现双向导通双向耐压的功率MOS器件，可用于锂电池BMS防护等应用环境下。相比于传统BMS中采用双管串联的方式以及其他实现双向导通...
乔明陈勇刘文良方冬张发备张波
降低窄控制栅结构栅电阻的金属布线方法
本发明提供一种降低窄控制栅结构栅电阻的金属布线方法，在栅结构上每隔一定的间距刻为第一栅电极和第二栅电极，同时每隔一定间距保留完整控制栅电极，从而构成第一、第二栅电极与完整栅电极间隔排列的结构，在完整栅电极部位打孔引出金属...
乔明董仕达王正康方冬王卓张波
恒流器件及其制造方法
本发明提供一种恒流器件及其制造方法，包括元胞区和终端区两个部分，元胞区包括多个结构相同并依次连接的元胞，每个元胞包括P型掺杂衬底、N型外延层、扩散P型阱区，终端区包括槽注入后经热过程推结形成的槽内氧化层，位于N型外延层上...
乔明肖家木赖春兰李路方冬张波
文献传递
横向高压功率器件的结终端结构
本发明提供一种横向高压功率器件的结终端结构，包括直线结终端结构和曲率结终端结构；曲率结终端结构包括漏极N<Sup>+</Sup>接触区、N型漂移区、P型衬底、栅极多晶硅、栅氧化层、P‑well区、源极P<Sup>+</S...
乔明李路于亮亮方冬杨文张波
文献传递
晶圆及其制备方法
本发明提供一种晶圆及其制备方法，包括多个结构相同的晶粒，每个晶粒包括N型衬底、氧化层、超结元胞结构，超结元胞结构包括P型掺杂区与N型掺杂区，两种掺杂区中至少一种划分为多个子区域，同种掺杂类型的相邻子区域被另一种类型的掺杂...
乔明方冬章文通张波
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域。包括多个结构相同并依次连接的元胞，所述元胞包括N型掺杂衬底，位于N型掺杂衬底之上的N型轻掺杂外延层，位于N型轻掺杂外延层之中的扩散P型阱区，位于扩散P型阱区之中的第一P型重...
乔明方冬于亮亮何逸涛张波
文献传递
降低小尺寸控制栅结构栅电阻的金属布线方法
本发明提供一种降低小尺寸控制栅结构栅电阻的金属布线方法，在栅结构上每隔一定的间距通过重掺杂多晶硅将相邻两个控制栅槽内的栅电极相连接，在栅连接部位打孔引出金属，为第一层金属；在源区上打孔引出金属，为第二层金属；两层金属之间...
乔明董仕达方冬王正康王卓张波
一种分离栅增强的功率MOS器件
本发明提供一种分离栅增强的功率MOS器件，包括衬底，衬底上表面有外延层，外延层中有控制栅槽，控制栅槽中包含栅电极、分离栅电极，栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极和第二栅电极位于控制栅槽的上半部分，且第一栅电极和...
乔明王正康方冬王睿迪张波
文献传递
隔离型LDMOS结构及其制造方法
本发明提供一种隔离型LDMOS结构及其制造方法，包括集成在同一P型衬底基片上的隔离槽结构和LDMOS结构；隔离槽结构位于LDMOS结构的第二P型重掺杂区和P型扩散阱区之间的P型衬底内部，隔离槽结构包括至少一个槽、槽内部的...
乔明程诗康方冬张波
隔离型LDMOS结构及其制造方法
本发明提供一种隔离型LDMOS结构及其制造方法，包括集成在同一P型衬底基片上的隔离槽结构和LDMOS结构；隔离槽结构位于P型衬底及其上方的N型外延层内、LDMOS结构的第二P型重掺杂区和第一P型扩散阱区之间，隔离槽结构包...
乔明方冬程诗康张波
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