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王曦

作品数：57 被引量：3H指数：1
供职机构：西安理工大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程水利工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 51篇专利
  • 4篇学位论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 20篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇水利工程

主题

  • 16篇SIC
  • 15篇晶闸管
  • 15篇衬底
  • 14篇碳化硅
  • 12篇发射区
  • 11篇外延层
  • 11篇二极管
  • 10篇触发晶闸管
  • 9篇凸台
  • 8篇阳极
  • 7篇门极
  • 7篇绝缘
  • 6篇欧姆接触
  • 6篇NIO
  • 5篇多晶
  • 5篇多晶硅
  • 5篇多晶硅栅
  • 5篇结终端
  • 5篇绝缘介质
  • 5篇硅栅

机构

  • 57篇西安理工大学
  • 1篇中车永济电机...

作者

  • 57篇王曦
  • 45篇蒲红斌
  • 14篇胡继超
  • 13篇刘青
  • 10篇封先锋
  • 8篇张萌
  • 4篇王敏
  • 4篇臧源
  • 3篇李连碧
  • 2篇李丹
  • 2篇王浩
  • 2篇李娜
  • 1篇杨莺
  • 1篇张超
  • 1篇陈治明
  • 1篇吕楠
  • 1篇王欣
  • 1篇余宁梅
  • 1篇谌娟

传媒

  • 2篇电力电子技术

年份

  • 2篇2024
  • 8篇2023
  • 10篇2022
  • 3篇2021
  • 14篇2020
  • 5篇2019
  • 10篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
共 57 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有栅保护功能的SiC MOSFET及制备方法
本发明公开了一种具有栅保护功能的SiC MOSFET，通过设置p阱区上表面的n+结区、设置位于p阱区上表面边缘的n+结区与位于p阱区上表面中心的n+结区分别经正面欧姆接触金属连接至源电极金属与栅电极金属，通过凸台状n+缓...
王曦纪轩蒲红斌张玉茜王朝阳熊娟
一种双层基区SiC NPN集成晶体管及其制作方法
本发明公开了一种双层基区SiC NPN集成晶体管，包括衬底，衬底的上端表面依次设置有第一外延层、第二外延层、第三外延层、第四外延层、第五外延层；第五外延层和第四外延层组成凸台三；第三外延层和第二外延层组成凸台二；第一外延...
蒲红斌唐新宇王曦安丽琪刘青李佳琪杜利祥
文献传递
4H--SiC光触发晶闸管新结构研究
第三代半导体材料碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、热导率高、临界雪崩击穿电场强度高、饱和载流子漂移速度大等优点，是制作高温、大功率、抗辐射电力电子器件的理想材料之一。作为电力电子器件，SiC光触发晶闸管(LTT)在简化驱动...
王曦
关键词：晶闸管碳化硅
文献传递
一种基于n长基区碳化硅晶闸管及其制作方法
本发明公开的一种基于n长基区碳化硅晶闸管，包括自下而上依次设置的阳极欧姆电极、碳化硅p<Sup>+</Sup>发射区外延层、碳化硅n<Sup>+</Sup>缓冲层、碳化硅n型长基区外延层、碳化硅p<Sup>‑</Sup>...
蒲红斌刘青王曦李佳琪
文献传递
一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法
本发明公开了一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法，步骤包括：步骤1：采用RCA清洗液‑丙酮‑酒精‑去离子水依次对碳化硅晶片进行清洗；步骤2：在清洗干燥后的碳化硅晶片表面涂胶，使用匀胶机进行匀胶，得到涂胶晶片；步骤3：使用...
蒲红斌王曦胡丹丹封先锋
文献传递
沟槽结隔离放大门极结构及含该结构的SiC光触发晶闸管
本发明公开了一种沟槽结隔离放大门极结构，包括在第三外延层之上依次制作有第四外延层、第五外延层；在主晶闸管区域的第四外延层上表面内嵌有n+门极接触；还包括沟槽结隔离，沟槽结隔离包括沟槽、结及沟槽中的填充物质；还包括绝缘介质...
蒲红斌安丽琪王曦唐新宇刘青王雅芳杜利祥李佳琪
文献传递
具有高通流能力的SiC双HEJ-LTT及制造方法
本发明公开了一种具有高通流能力的SiC双HEJ‑LTT，在第一外延层上表面，自中心向边缘依次间隔覆盖有三个短基区；第一短基区与第二短基区之间嵌有第一阳极隔离结；第二短基区与第三短基区之间嵌有第二阳极隔离结；第三短基区外侧...
王曦李娜蒲红斌封先锋胡继超王浩
文献传递
一种全光控SiC高压器件及其制造方法
本发明公开了一种全光控SiC高压器件，包括采用n型SiC材料制作的衬底；衬底的上表面外延有n型缓冲层；在n型缓冲层上表面外延有n型漂移区；在n型漂移区上表面分别注入有p型结区和p型基区；在p型基区上表面注入有n型发射区；...
王曦苏乐胡继超钟艺文杨蒲阳解勇涛
具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管
本发明公开了一种具有NiO/SiC pn异质结的SiC绝缘栅双极晶体管，p‑NiO层向上依次设置有n‑SiC缓冲层、n‑SiC漂移区，n‑SiC漂移区上镶嵌有p‑SiC阱区，p‑SiC阱区上镶嵌有p‑SiC欧姆接触区与n...
王曦钟艺文蒲红斌陈春兰王敏张萌
文献传递
重力坝加高预应力锚固有限元分析研究
我国已建成的水库工程中，混凝土重力坝是最常的一种坝型。重力坝在运行过程中会出现混凝土老化、坝基失稳、坝踵拉应力等问题，威胁着坝体的安全;同时随着水库运行，大量泥沙淤积于库内。侵占了水库的有效库容，使原水库工程不能满足工业...
王曦
关键词：水工建筑混凝土重力坝锚固效应
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