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杨志昌

作品数:24 被引量:18H指数:2
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 21篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇MOSFET
  • 6篇电力
  • 6篇电力电子
  • 6篇共模
  • 5篇光伏
  • 4篇电磁
  • 4篇电力电子变换
  • 4篇电力电子变换...
  • 4篇电路
  • 4篇电阻
  • 4篇调制方法
  • 4篇推挽电路
  • 4篇逆变
  • 4篇逆变器
  • 4篇驱动电阻
  • 4篇扩频
  • 4篇混沌
  • 4篇共模电压
  • 4篇函数
  • 4篇变换器

机构

  • 24篇北京交通大学
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院数...

作者

  • 24篇杨志昌
  • 23篇李虹
  • 14篇郑琼林
  • 12篇张波
  • 10篇吕金虎
  • 6篇孙湖
  • 5篇杨铎
  • 4篇冯超
  • 4篇杨中平
  • 2篇郭希铮
  • 2篇林飞
  • 2篇游小杰
  • 2篇郝瑞祥
  • 2篇徐艳明
  • 1篇张波
  • 1篇陈涛
  • 1篇何威

传媒

  • 1篇中国电机工程...
  • 1篇电源学报

年份

  • 1篇2021
  • 6篇2020
  • 5篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路
本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路,包括:驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路,其中,检测电路,用于检测驱动推挽电路的驱动电压,以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进...
李虹冯超蒋艳锋杨志昌赵星冉
文献传递
新型高效混合式混沌扩频脉宽调制方法及系统
本发明提出一种新型高效混合式混沌扩频脉宽调制方法及系统,该方法包括以下步骤:根据周期函数生成离散周期序列,并根据混沌映射生成离散混沌序列;将离散周期序列和离散混沌序列按照预设比重系数进行叠加,以生成混合式混沌序列;根据混...
李虹杨志昌张波吕金虎郑琼林
文献传递
基于连续型混沌脉宽调制的电力电子变换器电磁频谱量化与性能分析方法研究
随着电力电子装置功率密度的不断提高,电力电子变换器面临的电磁干扰问题逐渐成为制约电力电子技术发展的瓶颈。混沌脉宽调制能够从电磁干扰源抑制电磁干扰,得到了广泛关注和研究。但是电力电子变换器的混沌脉宽调制在推向实际工程应用还...
杨志昌
关键词:电力电子变换器
注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路
本发明公开了一种注入电流型SiC MOSFET有源驱动电路,包括:驱动推挽电路、驱动电阻、检测电路、脉冲产生电路和放大输出电路,其中,检测电路,用于检测驱动推挽电路的驱动电压,以根据驱动电压判断SiC MOSFET是否进...
李虹冯超蒋艳锋杨志昌赵星冉
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抑制电力电子变换器的电磁干扰混沌控制方法
本发明提出一种抑制电力电子变换器的电磁干扰混沌控制方法,包括以下步骤:根据多涡卷多翅膀混沌系统状态方程生成多涡卷多翅膀混沌吸引子,并根据混沌吸引子得到多涡卷多翅膀混沌系统的状态变量;对多涡卷多翅膀混沌系统的状态变量进行采...
李虹杨志昌吕金虎张波郑琼林朱博威杨铎房春雪孙湖
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应用于多峰MPPT的整体分布-粒子群优化算法
本发明公开了一种应用于多峰MPPT的整体分布‑粒子群优化算法,在PSO算法上,添加了OD算法的步骤,通过OD进一步缩小最大功率点所在的范围,再通过PSO算法进行进一步迭代,最终收敛到最大功率点。本发明具有如下优点:通过整...
李虹杨铎杨志昌吕金虎张波郑琼林郝瑞祥孙湖杨中平
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新型高效混合式混沌扩频脉宽调制方法及系统
本发明提出一种新型高效混合式混沌扩频脉宽调制方法及系统,该方法包括以下步骤:根据周期函数生成离散周期序列,并根据混沌映射生成离散混沌序列;将离散周期序列和离散混沌序列按照预设比重系数进行叠加,以生成混合式混沌序列;根据混...
李虹杨志昌张波吕金虎郑琼林
基于阶梯波序列的周期扩频PWM控制方法及装置
本发明公开了一种基于阶梯波序列的周期扩频PWM控制方法及装置,其中,方法包括:根据阶梯波函数生成阶梯波信号;对阶梯波信号进行采样,得到呈阶梯波分布的阶梯波序列;根据阶梯波序列和最大频率波动得到扰动频率值;根据基准开关频率...
李虹杨志昌郑琼林张波吕金虎
抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET有源驱动方法研究被引量:14
2019年
为了满足电力电子系统高频、高效和高功率密度的需求,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。其开关过程中存在瞬态电压电流尖峰和高频振荡,不仅对半导体器件的安全运行构成威胁,而且会恶化电力电子变换器的电磁兼容性。该文针对SiCMOSFET开关过程中存在的瞬态电压电流尖峰和振荡的问题,分析SiCMOSFET开关过程及瞬态电压电流尖峰和振荡产生机理,并在此基础上提出一种电流注入型有源驱动电路。该有源驱动电路通过在SiCMOSFET开通过程的电流上升阶段向栅极注入反向电流,在关断过程的电流下降阶段向栅极注入正向电流,以达到抑制开关过程瞬态电压电流尖峰和振荡的目的。实验结果表明,提出的有源驱动电路能够有效抑制SiCMOSFET开关过程瞬态电压电流的尖峰和高频振荡,从而从源头上改善了电力电子变换器的电磁兼容。
冯超李虹蒋艳锋赵星冉杨志昌
关键词:有源驱动振荡
SiC MOSFET仿真模型的建模方法
本发明公开了一种碳化硅SiC MOSFET仿真模型的建模方法,包括以下步骤:采用等效电路建模的方法对SiC MOSFET进行建模以获得第一模型;根据SiC MOSFET的Datasheet提供的转移特性曲线和输出特性曲线...
李虹徐艳明郑琼林杨志昌林飞杨中平郭希铮游小杰孙湖
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共3页<123>
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