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袁俊宝: 作品数：11 被引量：4H指数：1; 供职机构：云南师范大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金四川省教育厅科学研究项目四川省教育厅资助科研项目更多>>; 相关领域：理学电气工程化学工程一般工业技术更多>>

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衬底温度对含硅量子点的SiCx薄膜结构及其光学特性的影响被引量：2: 2016年; 采用磁控共溅射沉积法,以Si靶和SiC靶为靶材,单晶Si(100)和石英为衬底,在不同衬底温度下沉积了富硅SiC_x薄膜。在氮气氛下于1100℃退火,得到包含硅量子点的SiC_x薄膜。采用傅立叶变换红外吸收光谱、拉曼光谱、掠入射X射线衍射和吸收谱对退火后的SiC_x薄膜进行了表征。结果表明:当衬底温度从室温(25℃)升至300℃时,薄膜的晶化率增至71.3%,硅量子点尺寸增至8.9 nm,而光学带隙则减至2.42 e ;随着衬底温度进一步升高,薄膜的晶化率降至63.1%,硅量子点尺寸减小至7.3 nm,而光学带隙却增加至2.57 e ;当衬底温度从室温(25℃)升至400℃时,薄膜的吸收系数呈先增大后减小趋势。在本实验条件下,最佳衬底温度为300℃。; 赵飞杨雯陈小波袁俊宝杨培志; 关键词：衬底温度硅量子点磁控溅射

用锑诱导生长n型纳米晶硅量子点薄膜的方法: 本发明涉及一种制备n型硅量子点薄膜的方法，具体而言就是利用金属锑（Sb）诱导生长高数密度、高晶化率的、具有n型导电特性的硅量子点薄膜。本发明主要技术方案：首先，利用Ar离子对Si靶、Si<Sub>3</Sub>N<Sub...; 杨雯陈小波杨培志袁俊宝段良飞; 文献传递

一种微波退火制备硅量子点薄膜的方法: 本发明涉及一种微波退火制备硅量子点薄膜的方法，具体而言就是将磁控溅射沉积的富硅硅化物薄膜置于微波退火炉中较低温度退火制备出均匀的硅量子点薄膜。该方法采用可靠的磁控共溅射和微波退火技术，可控性好、可重复性高、简易而有效、可...; 杨雯陈小波杨培志袁俊宝段良飞李学铭; 文献传递

一种基于CPC设计的三平面复合平面聚光器: 本实用新型公开了一种基于CPC设计的三平面复合平面聚光器,由三平面复合平面聚光反射板、太阳电池板、支架和玻璃盖板组成；每组三平面复合平面聚光器包含两片三平面复合平面聚光反射板，每片三平面复合平面聚光反射板由三组平面构成；...; 唐润生张启超李啸宇袁俊宝唐凤; 文献传递

一种集成型太阳能真空集热吸附管: 本实用新型涉及一种集成型太阳能真空集热吸附管，主要是由太阳能真空玻璃套管、金属翅片吸附管、密封塞和工质导管组成。其特征在于:太阳能真空玻璃套管套在金属翅片吸附管外，两根管在同一条中心轴线上，密封塞紧密的套在金属翅片吸附管...; 唐润生李啸宇袁俊宝李范范赵克梅张启超; 文献传递

a-Si:H和Si3N4基硅量子点薄膜的制备与性能研究: 太阳能是一种取之不尽用之不竭的能源,太阳电池作为最直接的利用手段之一,却一直受到效率和成本的限制。硅基薄膜太阳电池具有原材料丰富、成本较低、易于大规模生产等优点,一直是光伏领域重要的研究方向。本论文以a-Si:H薄膜和S...; 袁俊宝; 关键词：氢化非晶硅薄膜

一种可旋转式多功能窗: 本实用新型涉及一种可旋转式多功能窗，包括外窗框、中横框、中悬窗、旋转机构、内倒窗、透光窗，所述外窗框固定在窗台上；所述中悬窗是由内窗框、单层茶色玻璃、单层白玻璃构成，其通过转轴机构与外窗框相连；所述旋转机构能保证中悬窗相...; 唐润生李啸宇陈应波张启超袁俊宝; 文献传递

富硅氮化硅薄膜的制备及其性能研究: 2015年; 富硅氮化硅薄膜因其具有良好的物理、机械和光学性能,被广泛应用于半导体领域。本文采用磁控共溅射法在玻璃衬底上沉积了富硅氮化硅薄膜,并对薄膜的表面形貌、透射率、反射率和物相等进行了表征。结果表明:随着溅射功率增大,薄膜的颜色加深;在500~900 nm范围内,随着溅射功率增大,薄膜的透过率逐渐降低;在300~500℃退火会使薄膜的透光性变差;所有样品的XRD谱图均未出现明显的衍射峰,说明所沉积的薄膜为非晶结构。; 袁俊宝李娅男陈小波陈小波赵飞; 关键词：磁控共溅射氮化硅薄膜透过率 X射线衍射

衬底温度对氢化非晶硅薄膜特性的影响被引量：1: 2016年; 采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统,以乙硅烷和氢气为气源,石英玻璃和单晶硅片为衬底制备了氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和电子能谱仪等分别表征了a-Si:∶H薄膜的表面形貌、结晶特性、沉积速率,光学带隙,键合结构和Si化合态等特性。结果表明:随着衬底温度的增加,a-Si∶H薄膜表面的颗粒尺寸减小,均匀性增加,沉积速率则逐渐降低;衬底温度从80℃增加到130℃时,光学带隙显著增加,而在130℃至230℃范围内,光学带隙基本不随衬底温度变化;以Si H键对应的伸缩振动的相对峰强度逐渐增加,而以Si H2或(Si H2)n键对应的伸缩振动的相对强度逐渐减小;a-Si∶H薄膜中Si0+态的相对含量增加。因此,衬底温度大于130℃有利于制备优质a-Si∶H薄膜,230℃是沉积a-Si∶H薄膜的最佳衬底温度。; 袁俊宝杨雯陈小波杨培志宋肇宁; 关键词：PECVD 衬底温度沉积速率光学带隙

一种基于CPC设计的两平面复合平面聚光器: 本实用新型公开了一种基于CPC设计的两平面复合平面聚光器,由复合平面聚光反射板、太阳电池板、支架和玻璃盖板组成；每组复合平面聚光器包含两片复合平面反射板，每片复合平面聚光反射板由两组平面构成；该复合平面聚光器仅需每年调整...; 唐润生张启超唐凤袁俊宝李啸宇; 文献传递