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邢鼎

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 12篇场效应
  • 10篇晶体管
  • 10篇场效应晶体管
  • 7篇金属半导体
  • 7篇沟道
  • 7篇半导体
  • 6篇凹陷
  • 5篇频率特性
  • 5篇金属半导体场...
  • 5篇绝缘衬底
  • 5篇半导体场效应...
  • 5篇4H-SIC
  • 5篇衬底
  • 4篇电极
  • 4篇栅电极
  • 4篇漏极
  • 4篇缓冲层
  • 4篇击穿电压
  • 4篇半绝缘
  • 2篇金属半导体场...

机构

  • 12篇西安电子科技...

作者

  • 12篇邢鼎
  • 11篇张航
  • 11篇贾护军
  • 6篇杨银堂

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 8篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有双凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管
本发明公开了一种具有双凹陷缓冲层的4H-SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，沟道...
贾护军张航邢鼎
文献传递
4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层；覆盖在P型缓冲层上的N型沟道层；其中，N型沟道层包括第一...
贾护军邢鼎张航
文献传递
一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开了一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法；旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有三凹陷结构的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方...
贾护军张航邢鼎杨银堂
4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种4H‑SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H‑碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H‑SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三...
贾护军邢鼎张航
文献传递
一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管
本发明公开了一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，沟道...
贾护军张航邢鼎
文献传递
具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、...
贾护军张航邢鼎杨银堂
文献传递
具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域，旨在提供一种具有宽沟道深凹陷且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的具有Γ栅和凹陷缓冲层的场效应晶体管及其制备方法；采用的技术方案为：自上而下设置有4H-SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、...
贾护军张航邢鼎杨银堂
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具有新型栅结构的4H-SiC MESFETs设计及仿真
4H-SiC场效应晶体管（4H-SiC MESFET）是下一代微波功率器件的理想选择，在微波频段以及高功率输出的半导体器件应用中，4H-SiC MESFET展示出极大的应用价值，在功率器件中极具潜力和竞争力。然而，增加S...
邢鼎
关键词：碳化硅场效应晶体管
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4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种4H-SiC金属半导体场效应晶体管及其制作方法。其中，该场效应晶体管包括：4H-碳化硅SiC半绝缘衬底；覆盖在4H-SiC半绝缘衬底上的P型缓冲层，其中，P型缓冲层包括第一P型缓冲区、第二P型缓冲区和第三...
贾护军邢鼎张航
文献传递
一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效应管的制备方法
本发明属于场效应晶体管技术领域，特别是公开一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效应管的制备方法；解决了现有技术存在的问题，旨在提供一种制作工艺简单且能够提高输出电流和击穿电压，改善频率特性的一种具有宽沟道深凹陷金属半导体场效...
贾护军张航邢鼎杨银堂
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