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白子龙

作品数：13 被引量：4H指数：1
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇文化科学

主题

  • 10篇铁电
  • 9篇存储器
  • 8篇电畴
  • 6篇铁电存储器
  • 4篇电极
  • 4篇电路
  • 4篇写操作
  • 4篇集成电路
  • 2篇单晶
  • 2篇电路设计
  • 2篇读操作
  • 2篇铁电材料
  • 2篇铁电畴
  • 2篇铁电单晶
  • 2篇面内
  • 2篇晶体管
  • 2篇开关晶体管
  • 2篇挥发
  • 2篇集成电路设计
  • 2篇硅基

机构

  • 13篇复旦大学
  • 2篇北京工业大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 13篇白子龙
  • 11篇江安全
  • 8篇张岩
  • 2篇祁琼
  • 2篇朱慧
  • 2篇江钧
  • 2篇陈月圆
  • 2篇汪鹏飞
  • 2篇孟晓
  • 1篇卢红亮
  • 1篇孟建伟
  • 1篇张卫
  • 1篇陈志辉

传媒

  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇北京工业大学...

年份

  • 1篇2023
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 6篇2017
  • 2篇2015
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法
本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构；铁电材料的极化方向都分别垂直于电极；当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方...
江安全郭会珍张岩白子龙
非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法
本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方...
江安全江钧白子龙
铁电存储集成电路及其操作方法和制备方法
本发明属于铁电存储技术领域，本发明提供的铁电存储集成电路，包括：铁电存储器阵列，其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列；其中，所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单...
江安全张岩白子龙
文献传递
高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法
本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种高读出电流的非挥发铁电存储器及其操作方法。该非挥发铁电存储器的每个存储单元为面内电容器结构或上下电容器结构；铁电材料的极化方向都分别垂直于电极；当在两个电极上施加与体铁电的电畴极化方...
江安全郭会珍张岩白子龙
文献传递
一种超高速芯片的快速散热装置
本实用新型属于微电子技术领域,具体为一种超高速芯片的快速散热装置。快速散热装置包括依次加装在超高速芯片上的肋片散热器、温控开关、半导体制冷片及风冷散热器；本实用新型把自然对流散热、半导体制冷片散热及风冷散热方式相互结合。...
陈志辉白子龙江安全孟建伟卢红亮张卫
文献传递
铁酸铋薄膜的阻变效应和导电机制被引量：4
2017年
针对脉冲激光沉积法制备的铁酸铋薄膜展开研究,利用电流–电压(I–V)特性曲线表征样品的阻变现象,对样品施加不同极性、大小的电压,其I–V曲线呈现出不同高低阻值的变化。通过对I–V曲线拟合,发现样品的导电机制符合空间电荷限制电流。结合正向电压下从高阻到低阻的转变,负向电压下从低阻到高阻的转变规律,验证样品的阻变效应符合陷阱能级的填充和脱陷,即陷阱能级的填充程度不同导致电极与铁酸铋界面势垒高度不同从而导致薄膜阻值的变化。
朱慧张迎俏汪鹏飞白子龙孟晓陈月圆祁琼
关键词：导电机制
非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法
本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种非破坏性读出铁电存储器及其制备方法和读/写操作方法。该铁电存储器包括铁电薄膜层和设置在铁电薄膜层上的读写电极层，读写电极层中设置有将其分为至少两个部分的间隙，铁电薄膜层的电畴的极化方...
江安全江钧白子龙
文献传递
铁电存储集成电路及其操作方法和制备方法
本发明属于铁电存储技术领域，本发明提供的铁电存储集成电路，包括：铁电存储器阵列，其具有在铁电单晶层上形成的存储单元阵列；其中，所述铁电存储器阵列的每个铁电存储器单元主要由存储单元阵列中的一个存储单元形成、或者主要由存储单...
江安全张岩白子龙
一种面内读/写操作铁电忆阻器及其制备方法
本发明属于铁电存储技术领域，具体为一种面内读/写操作的非易失性铁电忆阻器及其制备方法和操作方法。该铁电忆阻器包括铁电薄膜层及设置在铁电薄膜层表面的读写电极对，其中，读写电极对之间的间隙为不规则图形，铁电薄膜层的电畴的极化...
江安全张岩白子龙
一种铁电存储集成电路
本发明属于铁电存储技术领域，具体为铁电存储器集成电路设计及其制造方法。本发明的铁电存储器包括：交叉棒（Crossbar）结构和一个开关晶体管一个电阻式铁电存储单元（1T1R）结构的铁电存储器。铁电存储器单元由铁电层，以及...
江安全张岩白子龙
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