段玉华
- 作品数：2 被引量：10H指数：2
- 供职机构：复旦大学物理学系更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- CO和NO在CuO及CU_2O(110)表面吸附选择规律研究被引量：5
- 1995年
- 采用离散变分Xα方法分别计算了CO和NO以C（或N）端顶位吸附在CuO（110）及Cu2O（110）表面上的基态势能曲线，结果表明：CO在Cu2O表面上的吸附强，而在CuO表面上的吸附弱；NO则在CuO表面上吸附强，在Cu2O表面上吸附弱．它们的吸附能的大小顺序为：CuO－NO＞Cu2O－CO＞Cu2O－NO＞CuO－CO．对于CuO－NO（或CO）吸附体系，主要是Cu的3d轨道与吸附分子的2π轨道间的相互作用；对于Cu2O－CO（或NO）吸附体系，办主要是吸附质分子的5σ及2π分子轨道与其顶位Cu1的4s及4p轨道和侧位Cu2的3d轨道相互作用．本文通过吸附势能曲线、态密度分析、成键分析及电荷转移量和方向等方面对实验现象做了合理的解释．
- 段玉华张开明伏义路
- 关键词：一氧化碳一氧化氮氧化铜
- β-C_3N_4,β-Si_3N_4和β-Ge_3N_4的能带结构被引量：5
- 1996年
- 采用基于密度泛函理论的线性丸盒轨道原子球近似(LMTO-ASA)从头计算方法,研究了β-C_3N_4,β-Si_3N_4和β-Ge_3N_4的能带结构,得到了它们的能隙分别为:4.1751,5.1788和4.0279 eV。对于β-C_3N_4,由于N的部分2p电子占据了非键轨道,禁带宽度较窄;对于β-Si_3N_4,Si的3d轨道对价带的影响很大;而在β-Ge_3N_4中,Ge的3d轨道仍保持原子轨道的特性不变,其4d空轨道与Si的3d轨道的作用相似,但对能带结构的影响较小。
- 段玉华张开明谢希德
- 关键词：氮化硅半导体
