您的位置： 专家智库 > >

孟强

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇冷阴极
  • 2篇金刚石
  • 2篇金刚石膜
  • 2篇刚石
  • 2篇CVD
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体薄膜
  • 1篇半导体薄膜技...
  • 1篇CVD法
  • 1篇IC

机构

  • 3篇吉林大学
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇东北微电子研...

作者

  • 3篇顾长志
  • 3篇孟强
  • 2篇金亿鑫
  • 2篇周天明
  • 2篇金长春
  • 2篇张宝林
  • 2篇元光
  • 2篇宁永强
  • 2篇荆海
  • 2篇蒋红
  • 1篇苏秀娣
  • 1篇陆剑侠
  • 1篇邹广田
  • 1篇姚达
  • 1篇许仲德
  • 1篇金曾孙
  • 1篇王怀荣

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇1996年中...

年份

  • 3篇1997
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
利用CVD方法制备金刚石冷阴极的研究
利用化学腐蚀方法制备硅微尖阵列,利用 MW-PCVD 工艺生长金刚石膜,利用扫描电镜 （SEM）,X 射线衍射初步研究了金刚石膜的性质。表明微尖尖端具有成核优势,金刚石膜择优沿〈111〉方向生长。
元光金亿鑫金长春张宝林蒋红周天明宁永强荆海朱希玲顾长志孟强
关键词：冷阴极
文献传递
CMOS/SOD电路的高温工作特性
1997年
采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。
顾长志金曾孙孟强邹广田陆剑侠苏秀娣许仲德姚达王怀荣
关键词：金刚石膜IC
利用 CVD 方法制备金刚石冷阴极的研究被引量：1
1997年
利用化学腐蚀方法制备硅微尖阵列，利用ＭＷ－ＰＣＶＤ工艺生长金刚石膜，利用扫描电镜（ＳＥＭ），Ｘ射线衍射初步研究了金刚石膜的性质。表明微尖尖端具有成核优势，金刚石膜择优沿〈１１１〉方向生长。
元光金亿鑫金长春张宝林蒋红周天明宁永强荆海朱希玲顾长志孟强
关键词：金刚石膜冷阴极CVD法半导体薄膜技术
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0