李林军
- 作品数：3 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- PECVD技术制备1064nm高反膜
- 等离子体增强化学气相沉积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,即PECVD）技术被广泛应用于LED生产、微机械加工业、太阳能减反膜制备等方面。而由于其反应温度低、成膜均匀性...
- 李林军
- 关键词：PECVD光学薄膜高反膜
- 文献传递
- PECVD技术制备单层光学薄膜抗激光损伤特性研究被引量：5
- 2015年
- 采用PECVD技术在BK7玻璃基底上沉积了不同厚度的单层SiO2(折射率为1.46)和SiNx(折射率为1.84)光学薄膜,并对这2种膜层进行抗激光损伤阈值(LIDT)测试,分析讨论了PECVD技术制备的单层光学薄膜与抗激光损伤特性之间的关系。实验结果表明:PECVD技术制备的单层SiO2薄膜有较高的LIDT,薄膜光学厚度在λo/4~λo/2之间时,在光学厚度为350nm时,LIDT有最小值21.7J/cm2,光学厚度为433nm时,LIDT有最大值27.9J/cm2。SiNx薄膜的LIDT随着光学厚度增加而减小,在光学厚度为λo/4时,LIDT有最大值29.3J/cm2,光学厚度为λo/2时,LIDT有最小值4.9J/cm2。
- 李鹏杭凌侠徐均琪李林军
- 关键词：PECVD光学薄膜激光损伤阈值损伤形貌
- 1064nm高反射膜的PECVD法制备及其抗激光损伤性能被引量：1
- 2017年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氮化硅(SiNx)和含氟氧化硅(SiOxFy)薄膜,探讨了薄膜材料的最佳制备工艺参数,明确了薄膜光学特性与气体流量、射频功率、反应压强等制备工艺参数的关系;设计并制备了1 064nm高反射膜,并与PVD法制备的Ta_2O_5/SiO_2高反膜进行对比,结果表明,其反射率在99.0%左右时,PECVD法制备的高反膜具有较高的抗激光损伤阈值,约为PVD法的2倍。
- 杨陈杭凌侠李林军郭峰
- 关键词：PECVD高反膜损伤阈值
